MTG150,MTY150,Thyristormodule(Nicht-isolierter Typ),TECHSEM

VRRM,VDRM

Typ & Umriss

800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V

MTx150-08-213F4 MTx150-10-213F4 MTx150-12-213F4 MTx150-14-213F4 MTx150-16-213F4 MTx150-18-213F4

MFx150-08-213F4 MFx150-10-213F4 MFx150-12-213F4 MFx150-14-213F4 MFx150-16-213F4 MFx150-18-213F4

MTx steht für jeden t yp von MTG, MTY

MFx steht für jeden ty p von MFG, MFY

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj( ℃ )

Wert

Einheit

Min

TYP

Max

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180。halbe Sinuswelle 50Hz

Einseitig gekühlt, TC=90 ℃

125

150

Ein

IT(RMS)

RMS Durchlassstrom

236

Ein

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM bei VRRM

125

12

mA

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

VR=60%VRRM, t=10ms Halbsinus

125

3.9

kA

1 t

I2t für Fusionskoordination

125

76

10³Ein ²s

VTO

Schwellenspannung

125

0.80

V

rT

Einschaltsteigungswiderstand

1.74

mΩ

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM=450A

25

1.67

V

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

Gate-Source 1.5A

tr ≤0.5μs Wiederholend

125

100

A/μs

IGT

Gate-Auslöseström

VA=12V, IA=1A

25

30

100

mA

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

2.5

V

IH

Haltestrom

10

180

mA

IL

Haltestrom

1000

mA

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Bei 180 ° Sinus, Einseite pro Splitter gekühlt

0.16

℃ /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

Bei 180 ° Sinus, Einseite pro Splitter gekühlt

0.10

℃ /W

FM

Anschlussdrehmoment (M6)

4.5

6.0

N·m

Montagedrehmoment (M6)

4.5

6.0

N·m

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

℃

Tstg

Lagertemperatur

-40

125

℃

Wt

Gewicht

280

g

Gliederung

213F4