Schweiß-Thyristor/Gleichrichter-Modul

VDRM, VRRM

Typ & Umriss

600V

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

MTC200-06-229H3/229H3B

MTC200-08-229H3/229H3B

MTC200-10-229H3/229H3B

MTC200-12-229H3/229H3B

MTC200-14-229H3/229H3B

MTC200-16-229H3/229H3B

MTC200-18-229H3/229H3B

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj( ℃ )

Wert

Einheit

Min

Typ

Max

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180° Halb Sinuswelle 50 Hz Einseitige Kühlung, Tc=85 ℃

125

200

Ein

IT(RMS)

RMS Durchlassstrom

125

314

Ein

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM bei VRRM

125

40

mA

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

10ms Halbsinuswelle VR=60%VRRM

125

4.0

kA

1 t

I2t für Fusionskoordination

80

Ein ²s*10 ³

VTO

Schwellenspannung

125

0.70

v

rT

Einschaltsteigungswiderstand

1.11

mΩ

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM=600A

25

1.80

v

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

Gate-Source 1.5A

tr ≤0.5μs Wiederholend

125

200

A/μs

IGT

Gate-Auslöseström

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.6

2.5

v

IH

Haltestrom

10

250

mA

IL

Haltestrom

1000

mA

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

0.2

v

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Einseitig gekühlt pro Chip

0.16

℃ /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

Einseitig gekühlt pro Chip

0.08

℃ /W

VISO

Isolationsspannung

50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX)

3000

v

FM

Anschlussdrehmoment (M6)

2.5

4.0

N·m

Montagedrehmoment (M6)

4.5

6.0

N·m

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

℃

Tstg

Lagertemperatur

-40

125

℃

Wt

Gewicht

165

g

Gliederung

229H3 、229H3B