Schweiß-Thyristor/Gleichrichter-Modul

VDRM, VRRM

Typ & Umriss

600V

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

MTC110-06-224H3/224H3B

MTC110-08-224H3/224H3B

MTC110-10-224H3/224H3B

MTC110-12-224H3/224H3B

MTC110-14-224H3/224H3B

MTC110-16-224H3/224H3B

MTC110-18-224H3/224H3B

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj( ℃ )

Wert

Einheit

Min

Typ

Max

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180° Halb Sinuswelle 50 Hz Einseitige Kühlung, Tc=85 ℃

125

110

Ein

IT(RMS)

RMS Durchlassstrom

173

Ein

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM bei VRRM

125

20

mA

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

10ms Halbsinuswelle VR=60%VRRM

125

1.9

kA

1 t

I2t für Fusionskoordination

20

10³Ein ²s

VTO

Schwellenspannung

125

0.80

v

rT

Einschaltsteigungswiderstand

2.29

mΩ

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM=330A

25

1.80

v

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

Gate-Source 1.5A

tr ≤0.5μs Wiederholend

125

200

A/μs

IGT

Gate-Auslöseström

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.6

2.5

v

IH

Haltestrom

10

250

mA

IL

Haltestrom

1000

mA

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

0.2

v

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Einseitig gekühlt pro Chip

0.25

℃ /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

Einseitig gekühlt pro Chip

0.15

℃ /W

VISO

Isolationsspannung

50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX)

3000

v

FM

Thermische Verbindungsmoment(M5)

2.5

4.0

N·m

Montagedrehmoment (M6)

4.5

6.0

N·m

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

℃

Tstg

Lagertemperatur

-40

125

℃

Wt

Gewicht

100

g

Gliederung

224H3 、224H3B