MT300,Thyristormodule(Nicht-isolierter Typ),TECHSEM

800V~1800V, 407F2

Brand:

TECHSEM

Spu:

MT300

Appurtenance:

Produktbroschüre:HERUNTERLADEN

Kurze Einführung

Thyristormodule (nicht isolierter Typ) ,MT 300, von TECHSEM produziert.

V DRM ,V RRM

Typ und Gliederung

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

MT300-08-407F2NA MT300-10-407F2NA MT300-12-407F2NA MT300-14-407F2NA MT300-16-407F2NA MT300-18-407F2NA

MT300-08-407F2NK MT300-10-407F2NK MT300-12-407F2NK MT300-14-407F2NK MT300-16-407F2NK MT300-18-407F2NK

Funktionen ：

Typische Anwendungen ：

Symbol	Eigenschaften	Prüfbedingungen	Tj( ℃ )	Wert			Einheit
Symbol	Eigenschaften	Prüfbedingungen	Tj( ℃ )	Min	TYP	Max	Einheit
IT(AV)	Mittlerer Einschaltstrom	180° halbe Sinuswelle 50Hz einseitig gekühlt, Tc=90 ℃	125			300	Ein
IT(RMS)	RMS Durchlassstrom	180° halbe Sinuswelle 50Hz einseitig gekühlt, Tc=90 ℃	125			471	Ein
Ich bin hier	Wiederholender Spitzenstrom	bei VDRM bei VRRM	125			15	mA
ITSM	Überschuss-Einschaltstrom	10ms Halbsinuswelle VR=60%VRRM	125			8.3	kA
1 t	I2t für Fusionskoordination	10ms Halbsinuswelle VR=60%VRRM	125			344	Ein ²s*10 ³
VTO	Schwellenspannung		125			0.80	V
rT	Einschaltsteigungswiderstand		125			0.72	mΩ
VTM	Spitzeneinschaltspannung	ITM=900A	25			1.58	V
dv/dt	Kritische Steigrate der Ausschaltspannung	VDM=67%VDRM	125			800	V/μs
di/dt	Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms	Gate-Source 1.5A tr ≤0.5μs Wiederholend	125			100	A/μs
IGT	Gate-Auslöseström	VA=12V, IA=1A	25	30		150	mA
- Ich weiß.	Gate-Auslösespannung			0.8		2.5	V
IH	Haltestrom			20		120	mA
IL	Haltestrom					1000	mA
VGD	Nicht-auslösende Gate-Spannung	Bei 67% VDRM	125			0.2	V
Rth(j-c)	Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse	Einseitig gekühlt				0.08	℃ /W
Rth(c-h)	Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper	Einseitig gekühlt				0.04	℃ /W
FM	Anschlussdrehmoment (M10)			10.0		12.0	N·m
FM	Montagedrehmoment (M6)			4.5		6.0	N·m
Fernsehen	Junction-Temperatur			-40		125	℃
Tstg	Lagertemperatur			-40		125	℃
Wt	Gewicht				330		g
Gliederung	407F2