MT200,Thyristormodule(Nicht-isolierter Typ),TECHSEM

VDRM, VRRM

Typ & Umriss

800V

MT200-08-210F2NA

MT200-08-210F2NK

1000V

MT200-10-210F2NA

MT200-10-210F2NK

1200V

MT200-12-210F2NA

MT200-12-210F2NK

1400V

MT200-14-210F2NA

MT200-14-210F2NK

1600V

MT200-16-210F2NA

MT200-16-210F2NK

1800V

MT200-18-210F2NA

MT200-18-210F2NK

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj( ℃ )

Wert

Einheit

Min

TYP

Max

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

18° halbe Sinuswelle 50Hz einseitig gekühlt, Tc=90 ℃

125

200

Ein

IT(RMS)

RMS Durchlassstrom

125

314

Ein

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM bei VRRM

125

12

mA

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

10ms Halbsinuswelle VR=60%VRRM

125

5.2

kA

1 t

I2t für Fusionskoordination

135

10³A2s

VTO

Schwellenspannung

125

0.80

V

rT

Einschaltsteigungswiderstand

1.15

mΩ

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM=600A

25

1.62

V

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

Gate-Source 1.5A

tr ≤0.5μs Wiederholend

125

100

A/μs

IGT

Gate-Auslöseström

VA=12V, IA=1A

25

30

150

mA

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

2.5

V

IH

Haltestrom

20

120

mA

IL

Haltestrom

1000

mA

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Einseitig gekühlt

0.13

℃ /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

Einseitig gekühlt

0.10

℃ /W

FM

Anschlussdrehmoment (M6)

4.5

6.0

N·m

Montagedrehmoment (M6)

4.5

6.0

N·m

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

℃

Tstg

Lagertemperatur

-40

125

℃

Wt

Gewicht

185

g

Gliederung

210F2NA, 210F2NK