1200V,224H3
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Kurze Einführung
VRRM | Typ & Umriss |
1200V | MRC100-12-224H3 |
Merkmale ：
Typische Anwendungen
Symbol |
Eigenschaften |
Prüfbedingungen | Tj( ℃ ) | Wert |
Einheit | ||
Min | Typ | Max | |||||
IF(AV) | Mittlerer Vorwärtsstrom | TC=75 ℃ , Pro Diode |
150 |
|
| 100 | Ein |
TC=85 ℃ , 20KHz, Pro Modul |
|
| 75 | Ein | |||
IF(RMS) | RMS-Vorwärtsstrom | TC=75 ℃ , Pro Diode |
|
| 150 | Ein | |
IRRM | Wiederholender Spitzenstrom | bei VRRM | 125 |
|
| 10 | mA |
IFSM | Überspannungsstrom | VR=0V, tp=10ms | 45 |
|
| 1100 |
Ein |
VR=0V,tp=8.3ms | 45 |
|
| 1200 | |||
I 2t | I 2t für die Schmelzsicherung | VR=0V, tp=10ms | 45 |
|
| 6050 | 103Ein 2s |
VR=0V,tp=8.3ms | 45 |
|
| 7200 | |||
PD | Maximale Energieverteilung |
|
|
| 280 |
| W |
VFM | Spitzenvorwärtsspannung |
IFM= 100A | 25 |
| 1.58 | 1.80 |
v |
125 |
| 1.35 |
| ||||
trr | Rückwärts-Rückgewinnungszeit | I F= 1A, diF/dt=-200A/μs, VR=30V | 25 |
| 90 |
| NS |
trr | Rückwärts-Rückgewinnungszeit |
VR=600V, IF=100A, diF/dt=-200A/μs |
25 |
| 160 |
| NS |
IRM | Rückstrom |
| 10 |
| Ein | ||
trr | Rückwärts-Rückgewinnungszeit |
125 |
| 400 |
| NS | |
IRM | Rückstrom |
| 21 |
| Ein | ||
Rth(j-c) | Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse | Bei 1800 Sinus. Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
| 0.40 | ℃ /W |
VISO | Isolationsspannung | 50Hz,R.M.S,t= 1min |
| 3000 |
|
| v |
FM | Anschlussdrehmoment (M5) |
|
| 2.55 |
| 3.45 | N·m |
Montagedrehmoment (M6) |
|
| 4.25 |
| 5.75 | N·m | |
Fernsehen | Junction-Temperatur |
|
| -40 |
| 150 | ℃ |
Tstg | Lagertemperatur |
|
| -40 |
| 125 | ℃ |
Wt | Gewicht |
|
|
| 100 |
| g |
Gliederung | 224H3 | ||||||
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