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Schnelle Abschalt-Thyristor-Module

Schnelle Abschalt-Thyristor-Module

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MK(H) x400 MK400,Schnell abschaltbare Thyristormodule,Luftkühlung

400A,600V~1800V,416F3

Brand:
TECHSEM
Spu:
MK(H)x400 MK400
Appurtenance:

Produktbroschüre:HERUNTERLADEN

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Einführung

Kurze Einführung

Schnelle Abschalt-Thyristor-Module ,MK(H)x 400 MK 400,4 00A .Luft kühlung, produziert von TECHSEM .

VDRM, VRRM

Typ & Umriss

800V

MKx400-08-416F3

MHx400-08-416F3

1000V

MKx400-10-416F3

MHx400-10-416F3

1200V

MKx400-12-416F3

MHx400-12-416F3

1400V

MKx400-14-416F3

MHx400-14-416F3

1600V

MKx400-16-416F3

MHx400-16-416F3

1800V

MKx400-18-416F3

MHx400-18-416F3

Merkmale

  • Isolierte Montagebasis 2500V~
  • Druckkontakttechnologie mit Erhöhter Leistungszyklusfähigkeit
  • Platz- und Gewichtseinsparung

Typische Anwendungen

  • Wechselrichter
  • Induktionsheizung
  • Chopper

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj( )

Wert

Einheit

Min

Typ

Max

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180halbe Sinuswelle 50Hz einseitig gekühlt, Tc=85

125

400

Ein

IT(RMS)

RMS Durchlassstrom

628

Ein

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM bei VRRM

125

100

mA

I TSM

Überschuss-Einschaltstrom

10ms Halbsinuswelle VR=60%VRRM

125

8

kA

I 2t

I2t für Fusionskoordination

320

Ein 2s* 10 3

v Um

Schwellenspannung

125

0.83

v

rT

Einschaltsteigungswiderstand

0.72

mΩ

v TM

Spitzeneinschaltspannung

ITM= 1200A

25

2.40

v

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

Gate-Source 1.5A

tr ≤0.5μs Wiederholend

125

200

A/μs

Qrr

Einziehungsgebühr

ITM=300A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR= 100V

125

650

μC

Tq

Schaltungskommutierte Abschaltzeit

ITM=300A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs

125

15

35

μs

IGT

Gate-Auslöseström

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

3.0

v

IH

Haltestrom

10

200

mA

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

0.2

v

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Einseitig gekühlt pro Chip

0.065

/W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

Einseitig gekühlt pro Chip

0.023

/W

VISO

Isolationsspannung

50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX)

2500

v

FM

Anschlussdrehmoment (M10)

12.0

N·m

Montagedrehmoment (M6)

6.0

N·m

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

115

Tstg

Lagertemperatur

-40

115

Wt

Gewicht

1500

g

Gliederung

416F3

Gliederung

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