300A,600V~1800V,415F3
Produktbroschüre:HERUNTERLADEN
Kurze Einführung
Schnelle Abschalt-Thyristor Mo dule ,MK(H)x300 MK300 ,30 0A .Luft kühlung, produziert von TECHSEM .
VRRM,VDRM | Typ & Umriss | |
600V | MKx300-06-415F3 | MHx300-06-415F3 |
800V | MKx300-08-415F3 | MHx300-08-415F3 |
1000V | MKx300-10-415F3 | MHx300-10-415F3 |
1200V | MKx300-12-415F3 | MHx300-12-415F3 |
1400V | MKx300-14-415F3 | MHx300-14-415F3 |
1600V | MKx300-16-415F3 | MHx300-16-415F3 |
1800V | MKx300-18-415F3 | MHx300-18-415F3 |
1800V | MK300-18-415F3G |
|
MKx steht für jeden Typ von MKC, MKA, MKK
MHx steht für jeden Typ von MHC, MHA, MHK
Merkmale ：
Typische Anwendungen
Symbol |
Eigenschaften |
Prüfbedingungen | Tj( ℃ ) | Wert |
Einheit | |||
Min | Typ | Max | ||||||
IT(AV) | Mittlerer Einschaltstrom | 180。halbe Sinuswelle 50Hz einseitig gekühlt, |
TC=85 ℃ |
125 |
|
| 300 | Ein |
IT(RMS) | RMS Durchlassstrom |
|
| 471 | Ein | |||
Ich bin hier | Wiederholender Spitzenstrom | bei VDRM bei VRRM | 125 |
|
| 80 | mA | |
ITSM | Überschuss-Einschaltstrom | 10ms Halbsinuswelle VR=60%VRRM |
125 |
|
| 7.30 | kA | |
1 t | I2t für Fusionskoordination |
|
| 266 | 103Ein 2s | |||
VTO | Schwellenspannung |
|
125 |
|
| 1.36 | v | |
rT | Einschaltsteigungswiderstand |
|
| 0.38 | mΩ | |||
VTM | Spitzeneinschaltspannung | ITM=900A | 25 |
|
| 2.20 | v | |
dv/dt | Kritische Steigrate der Ausschaltspannung | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 800 | V/μs | |
di/dt | Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms | Gate-Source 1.5A tr ≤0.5μs Wiederholend | 125 |
|
| 200 | A/μs | |
Tq | Schaltungskommutierte Abschaltzeit | ITM=300A, tp=4000µs, VR= 100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs | 125 | 20 |
| 40 | μs | |
IGT | Gate-Auslöseström |
VA= 12V, IA= 1A |
25 | 30 |
| 200 | mA | |
- Ich weiß. | Gate-Auslösespannung | 1.0 |
| 3.0 | v | |||
IH | Haltestrom | 20 |
| 200 | mA | |||
IL | Haltestrom |
|
| 1000 | mA | |||
VGD | Nicht-auslösende Gate-Spannung | VDM= 67%VDRM | 125 |
|
| 0.2 | v | |
Rth(j-c) | Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse | Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
| 0.080 | 。C/W | |
Rth(c-h) | Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper | Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
| 0.040 | 。C/W | |
VISO | Isolationsspannung | 50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX) |
| 2500 |
|
| v | |
FM | Anschlussdrehmoment (M10) |
|
| 10.0 |
| 12.0 | N·m | |
Montagedrehmoment (M6) |
|
| 4.5 |
| 6.0 | N·m | ||
Fernsehen | Junction-Temperatur |
|
| -40 |
| 125 | ℃ | |
Tstg | Lagertemperatur |
|
| -40 |
| 125 | ℃ | |
Wt | Gewicht |
|
|
| 1260 |
| g | |
Gliederung | 415F3 | |||||||
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