Schnelle Abschalt-Thyristor-Module

VRRM,VDRM

Typ & Umriss

600V

MKx250-06-415F3

MHx250-06-415F3

800V

MKx250-08-415F3

MHx250-08-415F3

1000V

MKx250-10-415F3

MHx250-10-415F3

1200V

MKx250-12-415F3

MHx250-12-415F3

1400V

MKx250-14-415F3

MHx250-14-415F3

1600V

MKx250-16-415F3

MHx250-16-415F3

1800V

MKx250-18-415F3

MHx250-18-415F3

1800V

MK250-18-415F3G

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj( ℃ )

Wert

Einheit

Min

Typ

Max

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180° halbe Sinuswelle 50Hz einseitig gekühlt, Tc=85 ℃

125

250

Ein

IT(RMS)

RMS Durchlassstrom

392

Ein

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM bei VRRM

125

80

mA

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

10ms Halbsinuswelle VR=60%VRRM

125

5.60

kA

I ²t

I2t für Fusionskoordination

157

10³Ein ²s

VTO

Schwellenspannung

125

1.30

v

rT

Einschaltsteigungswiderstand

0.38

m

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM=750A

25

2.69

v

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

Gate-Source 1.5A

tr ≤0.5μs Wiederholend

125

200

A/μs

Tq

Schaltungskommutierte Abschaltzeit

ITM=300A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs ,di/dt=-20A/μs

125

20

40

μs

25

6

16

μs

IGT

Gate-Auslöseström

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

3.0

v

IH

Haltestrom

20

200

mA

IL

Haltestrom

1000

mA

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM= 67%VDRM

125

0.2

v

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Einseitig gekühlt pro Chip

0.100

℃ /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

Einseitig gekühlt pro Chip

0.040

℃ /W

VISO

Isolationsspannung

50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX)

2500

v

FM

Anschlussdrehmoment (M10)

10.0

12.0

N·m

Montagedrehmoment (M6)

4.5

6.0

N·m

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

℃

Tstg

Lagertemperatur

-40

125

℃

Wt

Gewicht

1260

g

Gliederung

415F3