Schnelle Abschalt-Thyristor-Module

VRRM,VDRM

Typ & Umriss

600V

MKx150-06-413F3D

MHx150-06-413F3D

800V

MKx150-08-413F3D

MHx150-08-413F3D

1000V

MKx150-10-413F3D

MHx150-10-413F3D

1200V

MKx150-12-413F3D

MHx150-12-413F3D

1400V

MKx150-14-413F3D

MHx150-14-413F3D

1600V

MKx150-16-413F3D

MHx150-16-413F3D

1800V

MKx150-18-413F3D

MHx150-18-413F3D

1800V

MK150-18-413F3DG

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj( ℃ )

Wert

Einheit

Min

Typ

Max

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180° halbe Sinuswelle 50Hz einseitig gekühlt, Tc=85 ℃

125

150

Ein

IT(RMS)

RMS Durchlassstrom

236

Ein

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM bei VRRM

125

50

mA

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

10ms Halbsinuswelle VR=60%VRRM

125

3.4

kA

1 t

I2t für Fusionskoordination

58

10³Ein ²s

VTO

Schwellenspannung

125

1.78

v

rT

Einschaltsteigungswiderstand

0.70

m

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM=450A

25

2.65

v

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

Gate-Source 1.5A

tr ≤0.5μs Wiederholend

125

200

A/μs

Tq

Schaltungskommutierte Abschaltzeit

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.

125

20

40

μs

25

6

16

μs

IGT

Gate-Auslöseström

VA= 12V, IA= 1A

25

30

180

mA

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

2.5

v

IH

Haltestrom

20

200

mA

IL

Haltestrom

1000

mA

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM= 67%VDRM

125

0.2

v

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Einseitig gekühlt pro Chip

0.130

℃ /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

Einseitig gekühlt pro Chip

0.030

℃ /W

VISO

Isolationsspannung

50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX)

2500

v

FM

Anschlussdrehmoment (M8)

10.0

12.0

N·m

Montagedrehmoment (M6)

4.5

6.0

N·m

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

℃

Tstg

Lagertemperatur

-40

125

℃

Wt

Gewicht

770

g

Gliederung

413F3D