26A,600V~1800V,229H3
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Kurze Einführung
Schweißdiode Modul ,m D C 26,26A ,Luftkühlung ,von TECHSEM produziert.
VRRM | Typ & Umriss |
600V 800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V | MDC 26-06-229H3 MDC 26-08-229H3 MDC 26-10-229H3 MDC 26-12-229H3 MDC 26-14-229H3 MDC 26-16-229H3 MDC 26-18-229H3 |
Merkmale ：
Typische Anwendungen ：
Symbol |
Eigenschaften |
Prüfbedingungen | Tj( ℃ ) | Wert |
Einheit | ||
Min | Typ | Max | |||||
IF(AV) | Mittlerer Vorwärtsstrom | 180° halbe Sinuswelle 50Hz Einseitig gekühlt, TC=100 ℃ | 150 |
|
| 26 | Ein |
IF(RMS) | RMS-Vorwärtsstrom | 150 |
|
| 41 | Ein | |
IRRM | Wiederholender Spitzenstrom | bei VRRM | 150 |
|
| 8 | mA |
IFSM | Überspannungsstrom | 10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM |
150 |
|
| 1.7 | kA |
1 t | I2t für Fusionskoordination |
|
| 14.5 | Ein 2s* 10 3 | ||
VFO | Schwellenspannung |
|
150 |
|
| 0.80 | v |
rF | Vorwärtssteigungswiderstand |
|
| 6.80 | mΩ | ||
VFM | Spitzenvorwärtsspannung | IFM=80A | 25 |
|
| 1.35 | v |
Rth(j-c) | Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse | Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
| 1.35 | ℃ /W |
Rth(c-h) | Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper | Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
| 0.20 | ℃ /W |
VISO | Isolationsspannung | 50Hz, R.M.S,t=1min, Iiso:1mA(max) |
| 3000 |
|
| v |
FM | Anschlussdrehmoment (M5) |
|
| 2.5 |
| 4.0 | N·m |
Montagedrehmoment (M6) |
|
| 4.5 |
| 6.0 | N·m | |
Fernsehen | Junction-Temperatur |
|
| -40 |
| 150 | ℃ |
Tstg | Lagertemperatur |
|
| -40 |
| 125 | ℃ |
Wt | Gewicht |
|
|
| 100 |
| g |
Gliederung | 224H3 | ||||||
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