2000V~2500V, 210F2NA, 210F2NK
Produktbroschüre:HERUNTERLADEN
Kurze Einführung
Diode Modules(Non-isolated Type) ,MD 200,800V~1800V, 210F2NA, 210F2NK ，von TECHSEM produziert.
V RRM |
TYP & Umriss |
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800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V |
MD200-08-210F2NA MD200-10-210F2NA MD200-12-210F2NA MD200-14-210F2NA MD200-16-210F2NA MD200-18-210F2NA |
MD200-08-210F2NK MD200-10-210F2NK MD200-12-210F2NK MD200-14-210F2NK MD200-16-210F2NK MD200-18-210F2NK |
Funktionen ：
Typische Anwendungen ：
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Symbol |
Eigenschaften |
Prüfbedingungen |
Tj( ℃ ) |
Wert |
Einheit |
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Min |
TYP |
Max |
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IF(AV) |
Mittlerer Vorwärtsstrom |
180° halbe Sinuswelle 50Hz Einseitig gekühlt, TC=100 ℃ |
150 |
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200 |
Ein |
IF(RMS) |
RMS-Vorwärtsstrom |
|
|
314 |
Ein |
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IRRM |
Wiederholender Spitzenstrom |
bei VRRM |
150 |
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|
8 |
mA |
IFSM |
Überspannungsstrom |
VR=60%VRRM, t=10ms Halbsinus |
150 |
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6.2 |
kA |
1 t |
I2t für Fusionskoordination |
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192 |
103A2s |
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VFO |
Schwellenspannung |
|
150 |
|
|
0.80 |
V |
rF |
Vorwärtssteigungswiderstand |
|
|
0.96 |
mΩ |
||
VFM |
Spitzenvorwärtsspannung |
IFM=600A |
25 |
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1.50 |
V |
Rth(j-c) |
Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse |
Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
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0.20 |
。C/W |
Rth(c-h) |
Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper |
Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
|
0.10 |
。C/W |
|
FM |
Anschlussdrehmoment (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·m |
Montagedrehmoment (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·m |
|
Fernsehen |
Junction-Temperatur |
|
|
-40 |
|
150 |
℃ |
Tstg |
Lagertemperatur |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Gewicht |
|
|
|
185 |
|
g |
Gliederung |
210F2NA, 210F2NK |
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