6500V 750A
Kurze Einführung:
Hochspannungs-Einzel-Schalter-IGBT-Module, hergestellt von CRRC. 6500V 750A.
Schlüsselparameter
vCES | 6500 V |
vCE(sat)- Das ist typisch. | 3,0 V |
ICMax. | 750 A |
IC ((RM)Max. | 1500 A |
Typische Anwendungen
Merkmale
Absolute Höchstmenge Ratin- und n-g
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Wert | Einheit |
vCES | Spannung zwischen Kollektor und Emitter | Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. | 6500 | v |
vGES | Spannung des Tor-Emitters | TC= 25 °C | ± 20 | v |
IC | Sammler-Emitterstrom | TC = 80 °C | 750 | Ein |
IC(PK) | Spitzenstrom des Kollektors | TP=1 ms | 1500 | Ein |
PMax | Max. Transistorenleistungsabbau | Tvj = 150 °C, TC = 25 °C | 11.7 | kW |
I2t | Diode I2t | Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. | 460 | kA2s |
vIsolierung | Isolationsspannung - pro Modul | (Gemeinsame Endgeräte zur Basisplatte), AC RMS,1 min, 50 Hz, TC= 25 °C | 10.2 | kV |
QPD | Teilweise Entladung - pro Modul | Die Größe der Verpackung ist: V1=6900V, V2=5100V, 50Hz RMS | 10 | PC |
Wärme- und mechanische Daten
Symbol | Erklärung | Wert | Einheit |
Schleichentfernung | Terminal zur Heatsink | 56.0 | mm |
Terminal zu Terminal | 56.0 | mm | |
Bodenfreiheit | Terminal zur Heatsink | 26.0 | mm |
Terminal zu Terminal | 26.0 | mm | |
CTI (Vergleichsverfolgungsindex) |
| > 600 |
|
Rth(J-C) IGBT | Wärmewiderstand - IGBT |
|
|
8.5 | K / kW |
Rth(J-C) Diode | Wärmewiderstand - Diode |
|
|
19.0 |
K / kW |
Rth ((C-H) IGBT | Wärmewiderstand Gehäuse zur Heizkessel (IGBT) | Einheit für die Verwendung in der Maschine mit einem Füllstoffgehalt von 1 W/m·°C |
|
9 |
K / kW |
Rth ((C-H) Diode | Wärmewiderstand Gehäuse für die Kühlkörper (Diode) | Einheit für die Verwendung in der Maschine mit einem Füllstoffgehalt von 1 W/m·°C |
|
18 |
K / kW |
Tvjop | Betriebstemperatur der Sperrschicht | (IGBT) | -40 | 125 | °C |
(Diode) | -40 | 125 | °C | ||
Tstg | storage temperatur Lagerungstemperaturbereich |
| -40 | 125 | °C |
m |
Schraubdrehmoment | Montage M6 |
| 5 | Nm |
Elektrische Verbindungen M4 |
| 2 | Nm | ||
Elektrische Verbindungen M8 |
| 10 | Nm |
Elektrische Eigenschaften
符号Symbol | 参数名称Parameter | 条件 Prüfbedingungen | Der letzte WertMin. | Typische Werte- Das ist typisch. | MaksimalwertMax. | EinheitEinheit | |||
ICES |
集电极截止电流 (Zusammenfassung des Stromstroms) Sammler-Abschlusstrom | VGE = 0V,VCE = VCES |
|
| 1 | mA | |||
VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C |
|
| 90 | mA | |||||
IGES | 极漏电流 (极) 极leckstrom Durchlässigkeit des Tores | VGE = ±20V, VCE = 0V |
|
| 1 | μA | |||
VGE (TH) | 极-发射极值电压Schrankschwellenspannung | Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. | 5.00 | 6.00 | 7.00 | v | |||
VCE (Sat) | 集电极-und Stromdruck Sättigung des Sammler-Emitters Spannung | Die Leistung der Fahrzeuge ist in der Regel von der Leistung der Fahrzeuge abhängig. |
| 3.0 | 3.4 | v | |||
Die Prüfungen sind in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG zu prüfen. |
| 3.9 | 4.3 | v | |||||
IF | 2D-Rohr direktstromDiodenvorwärtsstrom | DC |
| 750 |
| Ein | |||
IFRM | 2°-RohrrichtungDioden-Spitzenvorwärtsstrom | tP = 1 ms |
| 1500 |
| Ein | |||
VF(*1) |
2 ̊-Rohrrichtung Diodenvorwärtsspannung | Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. |
| 2.55 | 2.90 | v | |||
Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. |
| 2.90 | 3.30 | v | |||||
ISC |
Kurzschlussstrom Kurzschlussstrom | Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. Die in Absatz 1 genannten Daten sind für die einzelnen Prüfungen zu verwenden. |
|
2800 |
|
Ein | |||
Cies | Input-Kapazität Eingangskapazität | VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz |
| 123 |
| NF | |||
QG | 极电荷 Gate-Ladung | ±15V |
| 9.4 |
| μC | |||
Cres | Gegenseitige Übertragungskapazität Rückwärtsübertragungs-Kapazität | VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz |
| 2.6 |
| NF | |||
LM | 模块电感 (Modul-Lösung für die elektrische Ansteckung) Modulinduktivität |
|
| 10 |
| nH | |||
RINT | Innenhindernis Interne Transistorwiderstand |
|
| 90 |
| mΩ | |||
TD(aus) | Ausschaltverzögerung Verzögerungszeit für die Abschaltung |
IC = 750A, Die Prüfungen werden in der Regel in einem Zustand durchgeführt, in dem die Prüfungen nicht durch eine andere Prüfung durchgeführt werden. | Tvj= 25 °C |
| 3060 |
| NS | ||
Tvj= 125 °C |
| 3090 |
| ||||||
tF | - Ich bin nicht sicher.Herbstzeit | Tvj= 25 °C |
| 2390 |
| NS
mJ
NS
NS
mJ
μC | |||
Tvj= 125 °C |
| 2980 |
| ||||||
eaus | Abschaltverluste Energieverlust bei Abschaltung | Tvj= 25 °C |
| 3700 |
| ||||
Tvj= 125 °C |
| 4100 |
| ||||||
TD(ein) | 开通延迟时间 Verzögerungszeit der Einleitung |
IC = 750A, Die Prüfungen werden in der Regel in einem Zustand durchgeführt, in dem die Prüfungen nicht durch eine andere Prüfung durchgeführt werden. | Tvj= 25 °C |
| 670 |
| |||
Tvj= 125 °C |
| 660 | |||||||
Tr | AufstiegAufstiegszeit | Tvj= 25 °C |
| 330 |
| ||||
Tvj= 125 °C |
| 340 | |||||||
eauf | 开通损耗 Einschaltenergieverlust | Tvj= 25 °C |
| 4400 |
| ||||
Tvj= 125 °C |
| 6100 |
| ||||||
Qrr | 2D-Rohr umgekehrter RückschubstromDiode Rückwärts Einziehungsgebühr |
IF = 750A, VCE = 3600V, - DiF/dt = 3000 A/us, (Tvj= 125 °C). | Tvj= 25 °C |
| 1300 |
| |||
Tvj= 125 °C |
| 1680 |
| ||||||
Einfach | 2D-Rohr umgekehrter RücklaufstromDiode Rückwärts Rückgewinnungsstrom | Tvj= 25 °C |
| 1310 |
| Ein
mJ | |||
Tvj= 125 °C |
| 1460 |
| ||||||
Erek | 2D-RohrrückstandDiode Rückwärts Energiewiederherstellung | Tvj= 25 °C |
| 2900 |
| ||||
Tvj= 125 °C |
| 4080 |
| ||||||
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