YMIF750-65,IGBT-Modul,Ein-Schalter-IGBT,CRRC

V _CES

6500 V

V _CE(sat) - Das ist typisch.

3,0 V

I _C Max.

750 A

I _{C ((RM)} Max.

1500 A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Wert

Einheit

V _CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

6500

V

V _GES

Spannung des Tor-Emitters

TC= 25 °C

± 20

V

I _C

Sammler-Emitterstrom

TC = 80 °C

750

Ein

I _C(PK)

Spitzenstrom des Kollektors

tP=1 ms

1500

Ein

P _max

Max. Transistorenleistungsabbau

Tvj = 150 °C, TC = 25 °C

11.7

kW

I ²t

Diode I2t

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

460

kA2s

V _isolierung

Isolationsspannung - pro Modul

(Gemeinsame Endgeräte zur Basisplatte), AC RMS,1 min, 50 Hz, TC= 25 °C

10.2

kV

Q _PD

Teilweise Entladung - pro Modul

Die Größe der Verpackung ist: V1=6900V, V2=5100V, 50Hz RMS

10

pC

Rth(J-C) IGBT

Wärmewiderstand - IGBT

8.5

K / kW

Rth(J-C) Diode

Wärmewiderstand - Diode

19.0

K / kW

Rth ((C-H) IGBT

Wärmewiderstand

gehäuse zur Heizkessel (IGBT)

Einheit für die Verwendung in der Maschine

mit einem Füllstoffgehalt von 1 W/m·°C

9

K / kW

Rth ((C-H) Diode

Wärmewiderstand

gehäuse für die Kühlkörper (Diode)

Einheit für die Verwendung in der Maschine

mit einem Füllstoffgehalt von 1 W/m·°C

18

K / kW

Tvjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

(IGBT)

-40

125

°C

(Diode)

-40

125

°C

Tstg

storage temperatur

Lagerungstemperaturbereich

-40

125

°C

M

Schraubdrehmoment

Montage M6

5

Nm

Elektrische Verbindungen M4

2

Nm

Elektrische Verbindungen M8

10

Nm

符号 Symbol

参数名称 Parameter

条件

Prüfbedingungen

der letzte Wert Min.

typische Werte - Das ist typisch.

maksimalwert Max.

einheit Einheit

ICES

集电极截止电流 (Zusammenfassung des Stromstroms)

Sammler-Abschlusstrom

VGE = 0V,VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

90

mA

IGES

极漏电流 (极) 极leckstrom

Durchlässigkeit des Tores

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

极 -发射极值电压 Schrankschwellenspannung

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

5.00

6.00

7.00

V

VCE (Sat)

集电极 - und Stromdruck

Sättigung des Sammler-Emitters

spannung

Die Leistung der Fahrzeuge ist in der Regel von der Leistung der Fahrzeuge abhängig.

3.0

3.4

V

Die Prüfungen sind in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG zu prüfen.

3.9

4.3

V

IF

2D-Rohr direktstrom Diodenvorwärtsstrom

DC

750

Ein

IFRM

2°-Rohrrichtung Dioden-Spitzenvorwärtsstrom

tP = 1 ms

1500

Ein

VF(*1)

2 ̊-Rohrrichtung

Diodenvorwärtsspannung

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

2.55

2.90

V

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

2.90

3.30

V

ISC

kurzschlussstrom

Kurzschlussstrom

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

Die in Absatz 1 genannten Daten sind für die einzelnen Prüfungen zu verwenden.

2800

Ein

Cies

Input-Kapazität

Eingangskapazität

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

123

nF

QG

极电荷

Gate-Ladung

±15V

9.4

μC

Cres

gegenseitige Übertragungskapazität

Rückwärtsübertragungs-Kapazität

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

2.6

nF

LM

模块电感 (Modul-Lösung für die elektrische Ansteckung)

Modulinduktivität

10

nH

RINT

innenhindernis

Interne Transistorwiderstand

90

mΩ

tD _(aus)

ausschaltverzögerung

Verzögerungszeit für die Abschaltung

IC = 750A,

Die Prüfungen werden in der Regel in einem Zustand durchgeführt, in dem die Prüfungen nicht durch eine andere Prüfung durchgeführt werden.

Tvj= 25 °C

3060

nS

Tvj= 125 °C

3090

t _f

- Ich bin nicht sicher. Herbstzeit

Tvj= 25 °C

2390

nS

mJ

nS

nS

mJ

μC

Tvj= 125 °C

2980

E _Aus

abschaltverluste

Energieverlust bei Abschaltung

Tvj= 25 °C

3700

Tvj= 125 °C

4100

tD _(ein)

开通延迟时间

Verzögerungszeit der Einleitung

IC = 750A,

Die Prüfungen werden in der Regel in einem Zustand durchgeführt, in dem die Prüfungen nicht durch eine andere Prüfung durchgeführt werden.

Tvj= 25 °C

670

Tvj= 125 °C

660

tr

aufstieg Aufstiegszeit

Tvj= 25 °C

330

Tvj= 125 °C

340

E _Auf

开通损耗

Einschaltenergieverlust

Tvj= 25 °C

4400

Tvj= 125 °C

6100

Qrr

2D-Rohr umgekehrter Rückschubstrom Diode Rückwärts

einziehungsgebühr

IF = 750A,

VCE = 3600V,

- DiF/dt = 3000 A/us, (Tvj= 125 °C).

Tvj= 25 °C

1300

Tvj= 125 °C

1680

Einfach

2D-Rohr umgekehrter Rücklaufstrom Diode Rückwärts

rückgewinnungsstrom

Tvj= 25 °C

1310

Ein

mJ

Tvj= 125 °C

1460

Erek

2D-Rohrrückstand Diode Rückwärts

energiewiederherstellung

Tvj= 25 °C

2900

Tvj= 125 °C

4080