YMIF400-33,IGBT-Modul,Einzel-Schalter-IGBT,CRRC

Parameter

Symbol

Bedingungen

min

max

Einheit

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

VCES

VGE =0V,Tvj ≥25°C

3300

V

DC Kollektorstrom

IC

TC =80°C

400

Ein

Spitzenstrom des Kollektors

ICM

tp=1ms,Tc=80°C

800

Ein

Spannung des Tor-Emitters

VGES

-20

20

V

Gesamtleistungsverlust

Ptot

TC =25°C, pro Schalter (IGBT)

7100

W

DC Vorwärtsstrom

IF

400

Ein

Spitzen-Vorwärtsstrom

IFRM

tP=1 ms

800

Ein

Stromstoß

IFSM

VR =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, halbsinusschwingung

3000

Ein

IGBT Kurzschluss SOA

tpsc

Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.

10

μs

Isolationsspannung

Schnüren

1min, f=50Hz

10200

V

Junction-Temperatur

Fernsehen

150

℃

Junction-Betriebstemperatur

Tvj(op)

-50

150

℃

Gehäusetemperatur

TC

-50

125

℃

Lagertemperatur

Tstg

-50

125

℃

Montagedrehmomente

Ms

Basis-Heizwasserbereiter ，Schrauben für M6

4

6

Nm

Mt1

Hauptterminals ，M8 Schrauben

8

10

Parameter

Symbol

Bedingungen

Min

tYP

max

Einheit

Abbruchspannung des Kollektors (Emittors)

V(BR)CES

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

3300

V

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

VCEsat

Die Prüfungen sind in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG zu prüfen.

Tvj= 25°C

3.0

V

Tvj=125°C

3.6

V

Kollektorabschaltstrom

ICES

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

Tvj= 25°C

5

mA

Tvj=125°C

50

mA

Durchlässigkeit des Tores

IGES

VCE =0V,VGE =20V, Tvj =125°C

-500

500

nA

Gate-Emitter Schwellenwertspannung

VGE(th)

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

5.5

7.5

V

Gate-Ladung

QG

Die Leistung wird durch die Anlage des Geräts ermittelt.

4.0

μC

Eingangskapazität

Cies

VCE =25V,VGE =0V, f=1MHz,Tvj =25°C

65

nF

Ausgangskapazität

Coes

3.7

Rückwärtsübertragungs-Kapazität

Cres

0.8

Verzögerungszeit der Einleitung

die Daten sind nicht verfügbar.

VCC = 1800 V,

IC = 400A,

RG = 2,3Ω,

VGE = ± 15 V,

Lσ=280nH,

感性负载 (gefühlsmäßige Belastung)

Tvj = 25 °C

650

nS

Tvj = 125 °C

750

Aufstiegszeit

tr

Tvj = 25 °C

400

Tvj = 125 °C

470

Verzögerungszeit für die Abschaltung

td (ausgeschaltet)

Tvj = 25 °C

1600

nS

Tvj = 125 °C

1800

Herbstzeit

tF

Tvj = 25 °C

1100

Tvj = 125 °C

1200

Energieverlust beim Einschalten

EON

Tvj = 25 °C

1400

mJ

Tvj = 125 °C

1800

Energieverlust beim Ausschalten

EOFF

Tvj = 25 °C

1300

mJ

Tvj = 125 °C

1700

Kurzschlussstrom

ISC

die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

2500

Ein

Parameter

Symbol

Bedingungen

min

tYP

max

Einheit

Durchlassspannung

VF

IF = 400A

Tvj = 25 °C

2.3

2.6

V

Tvj = 125 °C

2.35

2.6

Rückwärts-Rückgewinnungsstrom

Einfach

VCC = 1800 V,

IC = 400A,

RG = 2,3Ω,

VGE = ± 15 V,

Lσ=280nH,

Tvj = 25 °C

900

Ein

Tvj = 125 °C

1000

Wiederhergestellte Ladung

Qrr

Tvj = 25 °C

700

μC

Tvj = 125 °C

1000

Rückwärts-Rückgewinnungszeit

trr

Tvj = 25 °C

850

nS

Tvj = 125 °C

2200

Rückwärtsrekuperationsenergie

Erek

Tvj = 25 °C

850

mJ

Tvj = 125 °C

1300