YMIF1200-45, IGBT-Modul, Einzel-Schalter-IGBT, CRRC

IGBT-Modul 4500V

YMIF1200-45, IGBT-Modul, Einzel-Switch-IGBT, CRRC

YMIF1200-45, IGBT-Modul, Einzel-Switch-IGBT, CRRC

4500V 1200A

Brand:

CRRC

Spu:

Die in Absatz 1 genannten Daten werden in der Tabelle 1 aufgeführt.

Einführung
Gliederung

Einführung

Kurze Einführung:

Maßgeschneiderte Produktion von YT,StakPak-Gehäuse,IGBT-Modulmit FWD.

Schlüsselparameter

VCES	4500		v
VCE (Sat)	(typisch)	2.30	v
IC	(Max)	1200	Ein
ICRM)	(Max)	2400	Ein

Typische Anwendungen

Traktionsantriebe
Motorsteuerungen
Smart Grid
Hochverlässlicher Wechselrichter

Merkmale

AISiC-Basisplatte
AIN-Substrate
Hohe Wärmezyklusfähigkeit
10μKurzschlussfestigkeit
Niedriges Ve(sat)-Gerät
Hohe Stromdichte

Absolut Maximum Bewertungen Tcase=25℃, sofern nicht anders angegeben

符号 (Symbol)	参数名称 (Parameter)		测试条件 (Prüfbedingungen)			数值 (Wert)		单位 (Einheit)
VCES	集电极-Emitterspeicherspannung Spannung zwischen Kollektor und Emitter		VGE=0V, Tvj=25℃			4500		v
VGES	极-Emitterspeicherspannung Spannung des Tor-Emitters					±20		v
IC	集电极电流 (Zusammenfassung von elektrischem Strom) Spannung zwischen Kollektor und Emitter		Tvj=125℃, Tcase=85℃			1200		Ein
IC(PK)	集电极峰值电流 Spitzenstrom des Kollektors		1 ms			2400		Ein
Pmax	Maximale Verlustleistung des Transistors Max. Transistor-Leistungsdissipation		Tvj=125℃, Tcase=25℃			12.5		kW
I²t	Diode²tWert Diode I²t		VR=0V, tp=10ms, Tvj=125℃			530		kA²s
Schnüren	绝缘电压(Modul) Isolationsspannung pro Modul		Alle Anschlüsse kurzschließen, Spannung zwischen Anschluss und Basisplatte anlegen (Gemeinsame Anschlüsse zur Basisplatte), AC RMS, 1 min, 50Hz			10200		v
QPD	Teilentladungsladung(Modul) Teilentladung pro Modul		IEC1287.V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS			10		PC
Kriechstrecke		Schleichentfernung			56mm
Isolationsabstand		Bodenfreiheit			26mm
Kriechstromfestigkeitsindex		CTI (Kritischer Tracking-Index)			> 600
Thermische & Mechanische Daten
符号 (Symbol)	参数名称 (Parameter)			测试条件 (Prüfbedingungen)		Minimal (Min)	Maximal (Max)	单位 (Einheit)
Rh(J-C)IGBT	AGBGehäuse-Wärmeübergangswiderstand Thermischer Widerstand-IGBT			Konstantleistung des Gehäuses Kontinuierliche Dissipation - Verbindung zum Gehäuse			8	K/kW
Rh(J-C)Diode	Thermischer Widerstand der Diode Thermischer Widerstand - Diode			Konstantleistung des Gehäuses Kontinuierliche Dissipation - Verbindung zum Gehäuse			16	K/kW
Rt(C-H)	Kontaktwärmewiderstand(Modul) Wärmeleitfähigkeit- Gehäuse zu Kühlkörper (pro Modul)			Einrichtungstrom5Nm(Wärmeleitpaste1W/m · ℃) Montagedrehmoment 5Nm (mit Montagefett 1W/m · ℃)			6	K/kW
Tv	结温Junction-Temperatur			IGBTTeil(IGBT)			125	℃
				Diodenteil(Diode)			125	℃
Tstg	storage temperaturLagerungstemperaturbereich					-40	125	℃
m	EinrichtungstromSchraubdrehmoment			Für die Montagebefestigung-M6 Montage -M6			5	Nm
				Für die Schaltungsverbindung-M4 Elektrische Verbindungen -M4			2	Nm
				Für die Schaltungsverbindung-M8 Elektrische Verbindungen -M8			10	Nm

Elektrische Eigenschaftens

Tcase=25℃, sofern nicht anders angegeben
符号 (Symbol)		参数名称 (Parameter)	条件 (Prüfbedingungen)		Minimal Klein (Min)	Typisch (typisch)	Minimal Groß (Max)	Einheit (Einheit)
ICES		集电极截止电流 (Zusammenfassung des Stromstroms) Sammler-Abschlusstrom	VGE=OV,VcE=VCES				1	mA
ICES			VGE=OV,VcE=VCEs,Tcase=125°C				90	mA
IGES		极漏电流 (极) 极leckstrom Durchlässigkeit des Tores	VGE=±20V,VcE=0V				1	μA
VGE(th)		极-发射极值电压 Schrankschwellenspannung	Ic=120mA,VGE=VCE		5.0	6.0	7.0	v
VCE(sa)		集电极-und Stromdruck Sättigung des Sammler-Emitters Spannung	VGE=15V,Ic=1200A			2.3	2.8	v
VCE(sa)		集电极-und Stromdruck Sättigung des Sammler-Emitters Spannung	VGE=15V,Ic=1200A,Tvj=125°C			3.0	3.5	v
IF		2D-Rohr direktstrom Diodenvorwärtsstrom	DC			1200		Ein
IFRM		2°-Rohrrichtung Diode maximale Vorwärtsstrom	TP=1 ms			2400		Ein
vF(1		2 ̊-Rohrrichtung Diodenvorwärtsspannung	/F=1200A			2.4	2.9	v
vF(1		2 ̊-Rohrrichtung Diodenvorwärtsspannung	/F=1200A,Tvj=125°C			2.7	3.2	v
Cies		Input-Kapazität Eingangskapazität	VcE=25V,VGE=OV,f=1MHz			135		NF
Q₉		极电荷 Gate-Ladung	±15V			11.9		μC
Cres		Gegenseitige Übertragungskapazität Rückwärtsübertragungs-Kapazität	VcE=25V,VGE=0V,f =1MHz			3.4		NF
LM		模块电感 (Modul-Lösung für die elektrische Ansteckung) Modulinduktivität				10		nH
RINT		Innenhindernis Interne Transistorwiderstand				90		μΩ
ISC		Kurzschlussstrom Kurzschlussstrom,Isc	Tvj=125°C,Vcc=3400V, VGE≤15V,tp≤10μs, VCE(max)=VCEs-L(2×di/dt, IEC 60747-9			5300		Ein
td(of)	Ausschaltverzögerung Verzögerungszeit für die Abschaltung			Ic=1200A VcE=2800V Cge=220nF L～180nH VGE=±15V RG(ON)=1.5Ω RG(OFF)=2.7Ω		2700		NS
TF	- Ich bin nicht sicher. Herbstzeit					700		NS
EOFF	Abschaltverluste Energieverlust bei Abschaltung					5800		mJ
tdon)	开通延迟时间 Verzögerungszeit der Einleitung					720		NS
t	Aufstieg Aufstiegszeit					270		NS
EON	开通损耗 Einschaltenergieverlust					3200		mJ
Qm	2D-Rohr umgekehrter Rückschubstrom Diode Rückwärtswiederherstellungsladung			/F=1200A VcE =2800V dip/dt =5000A/us		1200		μC
I	2D-Rohr umgekehrter Rücklaufstrom Diode Rückwärtswiederherstellungsstrom					1350		Ein
Erek	2D-Rohrrückstand Diode Rückwärtswiederherstellungsenergie					1750		mJ
td(of)	Ausschaltverzögerung Verzögerungszeit für die Abschaltung			Ic=1200A VcE =2800V Cge=220nF L～180nH VGE=±15V RG(ON)=1.5Ω RGOFF)=2.7Ω		2650		NS
TF	- Ich bin nicht sicher. Herbstzeit					720		NS
EOFF	Abschaltverluste Energieverlust bei Abschaltung					6250		mJ
tdon)	开通延迟时间 Verzögerungszeit der Einleitung					740		NS
t	Aufstieg Aufstiegszeit					290		NS
EON	开通损耗 Einschaltenergieverlust					4560		mJ
Q	2D-Rohr umgekehrter Rückschubstrom Diode Rückwärtswiederherstellungsladung			/F=1200A VcE=2800V dip/dt =5000A/us		1980		μC
I	2D-Rohr umgekehrter Rücklaufstrom Diode Rückwärtswiederherstellungsstrom			/F=1200A VcE=2800V dip/dt =5000A/us		1720		Ein
Erek	2D-Rohrrückstand Diode Rückwärtswiederherstellungsenergie					3250		mJ