YMIF1200-45, IGBT-Modul, Einzel-Switch-IGBT, CRRC

VCES

4500

V

VCE (Sat)

(typisch)

2.30

V

IC

(Max)

1200

Ein

ICRM)

(Max)

2400

Ein

符号
(Symbol)

参数名称
(Parameter)

测试条件
(Prüfbedingungen)

数值
(Wert)

单 位
(Einheit)

VCES

集电极 -emitterspeicherspannung
Spannung zwischen Kollektor und Emitter

VGE=0V, Tvj=25℃

4500

V

VGES

极 -emitterspeicherspannung
Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

集电极电流 (Zusammenfassung von elektrischem Strom)
Spannung zwischen Kollektor und Emitter

Tvj=125℃, Tcase=85℃

1200

Ein

IC(PK)

集电极峰值电流
Spitzenstrom des Kollektors

1 ms

2400

Ein

Pmax

maximale Verlustleistung des Transistors

Max. Transistor-Leistungsdissipation

Tvj=125℃, Tcase=25℃

12.5

kW

I²t

diode ²t wert
Diode I²t

VR=0V, tp=10ms, Tvj=125℃

530

kA²s

Schnüren

绝缘电压 (modul )

Isolationsspannung pro Modul

alle Anschlüsse kurzschließen, Spannung zwischen Anschluss und Basisplatte anlegen
(Gemeinsame Anschlüsse zur Basisplatte),
AC RMS, 1 min, 50Hz

10200

V

QPD

teilentladungsladung (modul )
Teilentladung pro Modul

IEC1287.V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

pC

kriechstrecke

Schleichentfernung

56mm

isolationsabstand

Bodenfreiheit

26mm

kriechstromfestigkeitsindex

CTI (Kritischer Tracking-Index)

> 600

Thermische & Mechanische Daten

符号
(Symbol)

参数名称
(Parameter)

测试条件
(Prüfbedingungen)

minimal
(Min)

maximal
(Max)

单 位
(Einheit)

Rh(J-C)IGBT

AGB gehäuse-Wärmeübergangswiderstand

Thermischer Widerstand-IGBT

konstantleistung des Gehäuses
Kontinuierliche Dissipation - Verbindung zum Gehäuse

8

K/kW

Rh(J-C)Diode

thermischer Widerstand der Diode
Thermischer Widerstand - Diode

konstantleistung des Gehäuses
Kontinuierliche Dissipation - Verbindung zum Gehäuse

16

K/kW

Rt(C-H)

kontaktwärmewiderstand (modul )
Wärmeleitfähigkeit-
gehäuse zu Kühlkörper (pro Modul)

einrichtungstrom 5Nm( wärmeleitpaste 1W/m · ℃)
Montagedrehmoment 5Nm
(mit Montagefett 1W/m · ℃)

6

K/kW

Tv

结温 Junction-Temperatur

IGBT teil (IGBT)

125

℃

diodenteil (Diode)

125

℃

Tstg

storage temperatur Lagerungstemperaturbereich

-40

125

℃

M

einrichtungstrom Schraubdrehmoment

für die Montagebefestigung -M6 Montage -M6

5

Nm

für die Schaltungsverbindung -M4
Elektrische Verbindungen -M4

2

Nm

für die Schaltungsverbindung -M8
Elektrische Verbindungen -M8

10

Nm

Tcase=25℃, sofern nicht anders angegeben

符号
(Symbol)

参数名称
(Parameter)

条件
(Prüfbedingungen)

minimal klein
(Min)

typisch
(typisch)

minimal groß
(Max)

einheit
(Einheit)

ICES

集电极截止电流 (Zusammenfassung des Stromstroms)
Sammler-Abschlusstrom

VGE=OV,VcE=VCES

1

mA

VGE=OV,VcE=VCEs,Tcase=125°C

90

mA

IGES

极漏电流 (极) 极leckstrom
Durchlässigkeit des Tores

VGE=±20V,VcE=0V

1

μA

VGE(th)

极 -发射极值电压
Schrankschwellenspannung

Ic=120mA,VGE=VCE

5.0

6.0

7.0

V

VCE(sa)

集电极 - und Stromdruck
Sättigung des Sammler-Emitters
spannung

VGE=15V,Ic=1200A

2.3

2.8

V

VGE=15V,Ic=1200A,Tvj=125°C

3.0

3.5

V

IF

2D-Rohr direktstrom
Diodenvorwärtsstrom

DC

1200

Ein

IFRM

2°-Rohrrichtung
Diode maximale Vorwärtsstrom

tP=1 ms

2400

Ein

vF(1

2 ̊-Rohrrichtung
Diodenvorwärtsspannung

/F=1200A

2.4

2.9

V

/F=1200A,Tvj=125°C

2.7

3.2

V

Cies

Input-Kapazität
Eingangskapazität

VcE=25V,VGE=OV,f=1MHz

135

nF

Q₉

极电荷
Gate-Ladung

±15V

11.9

μC

Cres

gegenseitige Übertragungskapazität
Rückwärtsübertragungs-Kapazität

VcE=25V,VGE=0V,f =1MHz

3.4

nF

LM

模块电感 (Modul-Lösung für die elektrische Ansteckung)
Modulinduktivität

10

nH

RINT

innenhindernis
Interne Transistorwiderstand

90

μΩ

ISC

kurzschlussstrom
Kurzschlussstrom,Isc

Tvj=125°C,Vcc=3400V,
VGE≤15V,tp≤10μs,
VCE(max)=VCEs-L(2×di/dt,

IEC 60747-9

5300

Ein

td(of)

ausschaltverzögerung
Verzögerungszeit für die Abschaltung

Ic=1200A
VcE=2800V
Cge=220nF

L ～ 180nH
VGE=±15V
RG(ON)=1.5Ω
RG(OFF)=2.7Ω

2700

nS

tF

- Ich bin nicht sicher.
Herbstzeit

700

nS

EOFF

abschaltverluste
Energieverlust bei Abschaltung

5800

mJ

tdon)

开通延迟时间
Verzögerungszeit der Einleitung

720

nS

t

aufstieg
Aufstiegszeit

270

nS

EON

开通损耗
Einschaltenergieverlust

3200

mJ

Qm

2D-Rohr umgekehrter Rückschubstrom
Diode Rückwärtswiederherstellungsladung

/F=1200A
VcE =2800V
dip/dt =5000A/us

1200

μC

I

2D-Rohr umgekehrter Rücklaufstrom
Diode Rückwärtswiederherstellungsstrom

1350

Ein

Erek

2D-Rohrrückstand
Diode Rückwärtswiederherstellungsenergie

1750

mJ

td(of)

ausschaltverzögerung
Verzögerungszeit für die Abschaltung

Ic=1200A
VcE =2800V
Cge=220nF
L ～ 180nH
VGE=±15V
RG(ON)=1.5Ω
RGOFF)=2.7Ω

2650

nS

tF

- Ich bin nicht sicher.
Herbstzeit

720

nS

EOFF

abschaltverluste
Energieverlust bei Abschaltung

6250

mJ

tdon)

开通延迟时间
Verzögerungszeit der Einleitung

740

nS

t

aufstieg
Aufstiegszeit

290

nS

EON

开通损耗
Einschaltenergieverlust

4560

mJ

Q

2D-Rohr umgekehrter Rückschubstrom
Diode Rückwärtswiederherstellungsladung

/F=1200A
VcE=2800V
dip/dt =5000A/us

1980

μC

I

2D-Rohr umgekehrter Rücklaufstrom
Diode Rückwärtswiederherstellungsstrom

1720

Ein

Erek

2D-Rohrrückstand
Diode Rückwärtswiederherstellungsenergie

3250

mJ