IGBT-Modul，3300V 1000A
Kurze Einführung
Hochspannungs-Einzel-Schalter-IGBT-Module, die von CRRC hergestellt werden. 3300V 1000A.
Schlüssel Parameter
vCES | 3300 v |
vCE(sitz) | (typisch) 2.40 v |
IC | (Max) 1000 Ein |
IC(RM) | (Max) 2000 Ein |
Typische Anwendungen
Typische Anwendungen
Absolute Höchstbewertung
(Symbol) | (Parameter) | (Prüfbedingungen) | (Wert) | (Einheit) |
VCES | Spannung zwischen Kollektor und Emitter | Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. | 3300 | v |
VGES | Spannung des Tor-Emitters | TC= 25 °C | ± 20 | v |
I C | Sammler-Emitterstrom | TC = 95 °C | 1000 | Ein |
IC(PK) | Spitzenstrom des Kollektors | t P= 1ms | 2000 | Ein |
P max | Max. Transistorenleistungsabbau | Tvj = 150 °C, TC = 25 °C | 10.4 | kW |
1t | Diode I2t | VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C | 320 | kA2s |
Schnüren | Isolationsspannung pro Modul | Gemeinsame Anschlüsse zur Grundplatte), AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25 °C | 6000 | v |
Q PD | Teilweise Entladung pro Modul | IEC1287. V 1 = 3500V, V 2 = 2600V, 50Hz RMS, TC= 25 °C | 10 | PC |
Elektrische Eigenschaften
(Symbol) | (Parameter) | (Prüfbedingungen) | (Min) | (typisch) | (Max) | (Einheit) | |
I CES |
Sammler-Abschlusstrom | VGE = 0V,VCE = VCES |
|
| 1 | mA | |
VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 125 ° C |
|
| 60 | mA | |||
VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 150 ° C |
|
| 100 | mA | |||
I GES |
Durchlässigkeit des Tores | VGE = ±20V, VCE = 0V |
|
| 1 | μA | |
VGE (TH) | Schrankschwellenspannung | I C= 80mA, VGE= VCE | 5.50 | 6.10 | 7.00 | v | |
VCE |
(*1) (sat) | Sättigung des Sammler-Emitters Spannung | VGE= 15V, I C= 1000A |
| 2.40 | 2.90 | v |
VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 125 ° C |
| 2.95 | 3.40 | v | |||
VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 150 ° C |
| 3.10 | 3.60 | v | |||
I F | Diodenvorwärtsstrom | DC |
| 1000 |
| Ein | |
I FRM |
Diode maximale Vorwärtsstrom | t P = 1ms |
| 2000 |
| Ein | |
VF(*1) |
Diodenvorwärtsspannung | I F= 1000A |
| 2.10 | 2.60 | v | |
I F= 1000A, Tvj= 125 ° C |
| 2.25 | 2.70 | v | |||
I F= 1000A, Tvj= 150 ° C |
| 2.25 | 2.70 | v | |||
C ies |
Eingangskapazität | VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz |
| 170 |
| NF | |
Q g | Gate-Ladung | ±15V |
| 17 |
| μC | |
C res | Rückwärtsübertragungs-Kapazität | VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz |
| 4 |
| NF | |
L M |
Modulinduktivität |
|
| 15 |
| nH | |
R INT | Interne Transistorwiderstand |
|
| 165 |
| μΩ | |
I SC | Kurzschlussstrom, ISC | Tvj = 150° C, VCC = 2500V, VGE≤15V, tp≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9 |
|
3900 |
|
Ein | |
Td (ausgeschaltet) | Verzögerungszeit für die Abschaltung |
I C =1000A VCE =1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω |
| 1800 |
| NS |
t f | Herbstzeit |
| 530 |
| NS | |
E OFF | Energieverlust bei Abschaltung |
| 1600 |
| mJ | |
Die Daten sind nicht verfügbar. | Verzögerungszeit der Einleitung |
| 680 |
| NS | |
t r | Aufstiegszeit |
| 320 |
| NS | |
EON | Einschaltenergieverlust |
| 1240 |
| mJ | |
Q rr | Diode Rückwärtswiederherstellungsladung | I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us |
| 780 |
| μC |
I rr | Diode Rückwärtswiederherstellungsstrom |
| 810 |
| Ein | |
E rec | Diode Rückwärtswiederherstellungsenergie |
| 980 |
| mJ | |
Td (ausgeschaltet) | Verzögerungszeit für die Abschaltung |
I C =1000A VCE =1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω |
| 1940 |
| NS |
t f | Herbstzeit |
| 580 |
| NS | |
E OFF | Energieverlust bei Abschaltung |
| 1950 |
| mJ | |
Die Daten sind nicht verfügbar. | Verzögerungszeit der Einleitung |
| 660 |
| NS | |
t r | Aufstiegszeit |
| 340 |
| NS | |
EON | Einschaltenergieverlust |
| 1600 |
| mJ | |
Q rr | Diode Rückwärtswiederherstellungsladung | I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us |
| 1200 |
| μC |
I rr | Diode Rückwärtswiederherstellungsstrom |
| 930 |
| Ein |
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