YMIBH250-33, IGBT-Modul, Halbbrücke-IGBT, CRRC

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Wert

Einheit

VCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

3300

V

VGES

Spannung des Tor-Emitters

TC= 25 °C

± 20

V

IC

Sammler-Emitterstrom

TC = 100 °C

250

Ein

IC(PK)

Spitzenstrom des Kollektors

tP=1 ms

500

Ein

Pmax

Max. Transistorenleistungsabbau

Tvj = 150 °C, TC = 25 °C

2.6

kW

1 t

Diode I2t

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

20

kA2s

Schnüren

Isolationsspannung - pro Modul

(Gemeinsame Endgeräte zur Basisplatte), AC RMS,1 min, 50 Hz, TC= 25 °C

6

kV

QPD

Teilweise Entladung - pro Modul

Die Größe der Verpackung ist: V1=6900V, V2=5100V, 50Hz RMS

10

pC

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

ICES

Sammler-Abschlusstrom

VGE = 0V,VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

15

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

25

mA

IGES

Durchlässigkeit des Tores

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

Schrankschwellenspannung

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

5.5

6.1

7.0

V

VCE (Sat)

Sättigung des Sammler-Emitters spannung

Die Prüfungen sind in Anhang I zu prüfen.

2.50

2.80

V

Die Prüfungen sind in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG zu prüfen.

3.15

3.45

V

Die Prüfungen sind in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG zu prüfen.

3.30

3.60

V

IF

Diodenvorwärtsstrom

DC

250

Ein

IFRM

Dioden-Spitzenvorwärtsstrom

tP = 1 ms

500

Ein

VF(*1)

Diodenvorwärtsspannung

Wenn = 250A, VGE = 0

2.10

2.40

V

Wenn die Wärme in der Luft nicht mehr als 250 A ist, muss die Wärme in der Luft nicht mehr als 250 A sein.

2.25

2.55

V

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

2.25

2.55

V

ISC

Kurzschlussstrom

Die Prüfungen sind in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der

Die in Absatz 1 genannten Daten sind für die einzelnen Prüfungen zu verwenden.

900

Ein

ICES

Sammler-Abschlusstrom

VGE = 0V,VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

15

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

25

mA

IGES

Durchlässigkeit des Tores

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

Schrankschwellenspannung

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

5.5

6.1

7.0

V

VCE (Sat)

Sättigung des Sammler-Emitters

spannung

Die Prüfungen sind in Anhang I zu prüfen.

2.50

2.80

V

Die Prüfungen sind in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG zu prüfen.

3.15

3.45

V

Die Prüfungen sind in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG zu prüfen.

3.30

3.60

V

IF

Diodenvorwärtsstrom

DC

250

Ein

IFRM

Dioden-Spitzenvorwärtsstrom

tP = 1 ms

500

Ein

VF(*1)

Diodenvorwärtsspannung

Wenn = 250A, VGE = 0

2.10

2.40

V

Wenn die Wärme in der Luft nicht mehr als 250 A ist, muss die Wärme in der Luft nicht mehr als 250 A sein.

2.25

2.55

V

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

2.25

2.55

V

ISC

Kurzschlussstrom

Die Prüfungen sind in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der

Die in Absatz 1 genannten Daten sind für die einzelnen Prüfungen zu verwenden.

900

Ein

t d ((aus)

Verzögerungszeit für die Abschaltung

I C = 250 A,

V CE = mit einer Leistung von mehr als 50 W V GE = ± 15 V, R G ((OFF) = 9.0Ω , C GE = 56nF,

L S = 150nH,

T vj = 25 °C

1480

nS

T vj = 125 °C

1550

T vj = 150 °C

1570

t f

Herbstzeit

T vj = 25 °C

1280

nS

T vj = 125 °C

1920

T vj = 150 °C

2120

E Aus

Energieverlust bei Abschaltung

T vj = 25 °C

300

mJ

T vj = 125 °C

380

T vj = 150 °C

400

t (Das ist ein

Verzögerungszeit der Einleitung

I C = 250 A,

V CE = mit einer Leistung von mehr als 50 W V GE = ± 15 V, R G ((ON) = 6,0Ω , C GE = 56nF,

L S = 150nH,

T vj = 25 °C

640

nS

T vj = 125 °C

650

T vj = 150 °C

650

t r

Aufstiegszeit

T vj = 25 °C

220

nS

T vj = 125 °C

235

T vj = 150 °C

238

E Auf

Schaltenergie verlust

T vj = 25 °C

395

mJ

T vj = 125 °C

510

T vj = 150 °C

565

Q rR

Diode umgekehrt

einziehungsgebühr

I F = 250 A,

V CE = mit einer Leistung von mehr als 50 W

- Das ist... i F /dt = 1200 A/US, (T vj = 125 °C).

T vj = 25 °C

190

μC

T vj = 125 °C

295

T vj = 150 °C

335

I rR

Diode umgekehrt

rückgewinnungsstrom

T vj = 25 °C

185

Ein

T vj = 125 °C

210

T vj = 150 °C

216

E erklärungen

Diode umgekehrt

energiewiederherstellung

T vj = 25 °C

223

mJ

T vj = 125 °C

360

T vj = 150 °C

410