IGBT-Modul 3300V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Wert

Einheit

VCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

3300

v

VGES

Spannung des Tor-Emitters

TC= 25 °C

± 20

v

IC

Sammler-Emitterstrom

TC = 100 °C

250

Ein

IC(PK)

Spitzenstrom des Kollektors

TP=1 ms

500

Ein

Pmax

Max. Transistorenleistungsabbau

Tvj = 150 °C, TC = 25 °C

2.6

kW

1 t

Diode I2t

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

20

kA2s

Schnüren

Isolationsspannung - pro Modul

(Gemeinsame Endgeräte zur Basisplatte), AC RMS,1 min, 50 Hz, TC= 25 °C

6

kV

QPD

Teilweise Entladung - pro Modul

Die Größe der Verpackung ist: V1=6900V, V2=5100V, 50Hz RMS

10

PC

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

ICES

Sammler-Abschlusstrom

VGE = 0V,VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

15

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

25

mA

IGES

Durchlässigkeit des Tores

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

Schrankschwellenspannung

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

5.5

6.1

7.0

v

VCE (Sat)

Sättigung des Sammler-Emitters Spannung

Die Prüfungen sind in Anhang I zu prüfen.

2.50

2.80

v

Die Prüfungen sind in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG zu prüfen.

3.15

3.45

v

Die Prüfungen sind in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG zu prüfen.

3.30

3.60

v

IF

Diodenvorwärtsstrom

DC

250

Ein

IFRM

Dioden-Spitzenvorwärtsstrom

tP = 1 ms

500

Ein

VF(*1)

Diodenvorwärtsspannung

Wenn = 250A, VGE = 0

2.10

2.40

v

Wenn die Wärme in der Luft nicht mehr als 250 A ist, muss die Wärme in der Luft nicht mehr als 250 A sein.

2.25

2.55

v

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

2.25

2.55

v

ISC

Kurzschlussstrom

Die Prüfungen sind in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der

Die in Absatz 1 genannten Daten sind für die einzelnen Prüfungen zu verwenden.

900

Ein

ICES

Sammler-Abschlusstrom

VGE = 0V,VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

15

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

25

mA

IGES

Durchlässigkeit des Tores

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

Schrankschwellenspannung

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

5.5

6.1

7.0

v

VCE (Sat)

Sättigung des Sammler-Emitters

Spannung

Die Prüfungen sind in Anhang I zu prüfen.

2.50

2.80

v

Die Prüfungen sind in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG zu prüfen.

3.15

3.45

v

Die Prüfungen sind in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG zu prüfen.

3.30

3.60

v

IF

Diodenvorwärtsstrom

DC

250

Ein

IFRM

Dioden-Spitzenvorwärtsstrom

tP = 1 ms

500

Ein

VF(*1)

Diodenvorwärtsspannung

Wenn = 250A, VGE = 0

2.10

2.40

v

Wenn die Wärme in der Luft nicht mehr als 250 A ist, muss die Wärme in der Luft nicht mehr als 250 A sein.

2.25

2.55

v

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

2.25

2.55

v

ISC

Kurzschlussstrom

Die Prüfungen sind in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der

Die in Absatz 1 genannten Daten sind für die einzelnen Prüfungen zu verwenden.

900

Ein

td ((aus)

Verzögerungszeit für die Abschaltung

IC = 250 A,

vCE = mit einer Leistung von mehr als 50 W vGE = ±15 V, rG ((OFF) = 9.0Ω , CGE = 56nF,

Ls = 150nH,

tVj= 25 °C

1480

NS

tVj= 125 °C

1550

tVj= 150 °C

1570

tF

Herbstzeit

tVj= 25 °C

1280

NS

tVj= 125 °C

1920

tVj= 150 °C

2120

eaus

Energieverlust bei Abschaltung

tVj= 25 °C

300

mJ

tVj= 125 °C

380

tVj= 150 °C

400

t(Das ist ein

Verzögerungszeit der Einleitung

IC = 250 A,

vCE = mit einer Leistung von mehr als 50 W vGE = ±15 V, rG ((ON) = 6,0Ω , CGE = 56nF,

Ls = 150nH,

tVj= 25 °C

640

NS

tVj= 125 °C

650

tVj= 150 °C

650

tr

Aufstiegszeit

tVj= 25 °C

220

NS

tVj= 125 °C

235

tVj= 150 °C

238

eauf

Schaltenergie Verlust

tVj= 25 °C

395

mJ

tVj= 125 °C

510

tVj= 150 °C

565

QRR

Diode umgekehrt

Einziehungsgebühr

IF = 250 A,

vCE = mit einer Leistung von mehr als 50 W

- Das ist...IF/dt = 1200 A/US, (tVj= 125 °C).

tVj= 25 °C

190

μC

tVj= 125 °C

295

tVj= 150 °C

335

IRR

Diode umgekehrt

Rückgewinnungsstrom

tVj= 25 °C

185

Ein

tVj= 125 °C

210

tVj= 150 °C

216

eErklärungen

Diode umgekehrt

Energiewiederherstellung

tVj= 25 °C

223

mJ

tVj= 125 °C

360

tVj= 150 °C

410