IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Sammler Aktuell @ t C =25 O C

@ t C = 100O C

630

400

Ein

I CM

Pulsierend Sammler Aktuell t P =1 ms

800

Ein

P D

Maximum Leistung Abgabe @ t j =175 O C

2083

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

v

I F

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

400

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

800

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t jmax

Höchsttemperatur der Kreuzung Natur

175

O C

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 Um +150

O C

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 Um +125

O C

v ISO

Isolation Spannung RMS , f=50 HZ , t=1 Min

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE (sitz )

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C = 400A, v GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

v

I C = 400A, v GE =15V, t j =125 O C

1.95

I C = 400A, v GE =15V, t j =150 O C

2.00

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 10.0mA ,v CE = v GE ,t j =25 O C

5.2

6.0

6.8

v

I CES

Abschnittswert für den Sammler

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V,

t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interner Gate-Widerstand

1.9

Ω

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V, f=1 MHz ,

v GE =0V

41.4

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.16

NF

Q g

Gate-Ladung

v GE =- 15V...+15V

3.11

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V, I C = 400A, r g =2.0Ω,

v GE =±15V, t j =25 O C

257

NS

t r

Aufstiegszeit

96

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

628

NS

t F

Herbstzeit

103

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

23.5

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

34.0

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V, I C = 400A, r g =2.0Ω,

v GE =±15V, t j = 125O C

268

NS

t r

Aufstiegszeit

107

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

659

NS

t F

Herbstzeit

144

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

35.3

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

51.5

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V, I C = 400A, r g =2.0Ω,

v GE =±15V, t j = 150O C

278

NS

t r

Aufstiegszeit

118

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

680

NS

t F

Herbstzeit

155

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

38.5

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

56.7

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, v GE =15V,

t j =150 O C ,v CC =900V, v CEM ≤ 1200 V

1600

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F = 400A, v GE =0V, t j =25 O C

1.80

2.25

v

I F = 400A, v GE =0V, t j = 125O C

1.85

I F = 400A, v GE =0V, t j = 150O C

1.85

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V, I F = 400A,

-di /dt = 5000 A/μs, v GE =- 15V t j =25 O C

38.0

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

285

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

19

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V, I F = 400A,

-di /dt = 5000 A/μs, v GE =- 15V t j = 125O C

66.5

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

380

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

36.6

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V, I F = 400A,

-di /dt = 5000 A/μs, v GE =- 15V t j = 150O C

76.0

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

399

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

41.8

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

r CC ’+ EE ’

Modulleiterwiderstand, Endpunkt an Chip

0.18

mΩ

r thJC

Junction -Um -Fallstudie (pro IGBT )

Junction -Um -Fallstudie (pro Diode )

0.072

0.095

K/W

r thCH

Fallstudie -Um -Heizkessel (pro IGBT )

Fallstudie -Um -Heizkessel (pro Diode )

Hülle-Heatsink (pro Modul)

0.018

0.023

0.010

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montage Drehmoment , Schraube m 6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Gewicht von Modul

300

g