IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C

@ T C =90 O C

595

400

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P = 1 ms

800

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 O C

1875

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

v

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

400

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

800

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperatur Reichweite

-40 bis +125

O C

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =400A,V GE = 15 V, t j =25 O C

1.75

2.20

v

I C =400A,V GE = 15 V, t j =125 O C

2.00

I C =400A,V GE = 15 V, t j =150 O C

2.05

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 10.0mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.2

6.0

6.8

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interner Gate-Widerst and

0.5

Ω

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=1Mhz,

v GE =0V

37.3

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.04

NF

Q g

Gate-Ladung

v GE =- 15…+15V

2.80

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 400A, r g =2.0Ω,

v GE =±15V, t j =25 O C

205

NS

t r

Aufstiegszeit

77

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

597

NS

t F

Herbstzeit

98

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

18.8

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

32.3

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 400A, r g =2.0Ω,

v GE =±15V, t j = 125O C

214

NS

t r

Aufstiegszeit

86

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

626

NS

t F

Herbstzeit

137

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

28.4

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

48.9

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 400A, r g =2.0Ω,

v GE =±15V, t j = 150O C

198

NS

t r

Aufstiegszeit

94

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

646

NS

t F

Herbstzeit

147

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

30.8

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

53.8

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE = 15 V,

t j =150 O C,V CC =900V, v CEM ≤ 1200 V

1440

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =400A,V GE =0V,T j =25 O C

1.75

2.15

v

I F =400A,V GE =0V,T j = 125O C

1.65

I F =400A,V GE =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V,I F = 400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

40

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

299

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

20.0

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V,I F = 400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V t j = 125O C

70

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

399

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

38.4

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V,I F = 400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V t j = 150O C

80

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

419

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

43.9

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

15

nH

r CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand nce, Anschluss zum Chip

0.25

mΩ

r thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Junction-to-Case (pro Di ode)

0.080

0.095

K/W

r thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.037

0.044

0.010

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Gewicht von Modul

300

g