GD400HFX120C2S,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C

@ T C =90 o C

595

400

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p = 1 ms

800

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 o C

1875

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

V

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

400

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

800

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagertemperatur Reichweite

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =400A,V GE = 15 V, T j =25 o C

1.75

2.20

V

I C =400A,V GE = 15 V, T j =125 o C

2.00

I C =400A,V GE = 15 V, T j =150 o C

2.05

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 10.0mA,V CE =V GE , T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus

Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

0.5

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

37.3

nF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.04

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =- 15…+15V

2.80

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 400A, R G =2.0Ω,

V GE =±15V, T j =25 o C

205

nS

t r

Aufstiegszeit

77

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

597

nS

t f

Herbstzeit

98

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

18.8

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

32.3

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 400A, R G =2.0Ω,

V GE =±15V, T j = 125o C

214

nS

t r

Aufstiegszeit

86

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

626

nS

t f

Herbstzeit

137

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

28.4

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

48.9

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 400A, R G =2.0Ω,

V GE =±15V, T j = 150o C

198

nS

t r

Aufstiegszeit

94

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

646

nS

t f

Herbstzeit

147

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

30.8

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

53.8

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE = 15 V,

T j =150 o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V

1440

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =400A,V GE =0V,T j =25 o C

1.75

2.15

V

I F =400A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

I F =400A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C

40

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

299

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

20.0

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

70

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

399

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

38.4

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

80

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

419

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

43.9

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

15

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand nce, Anschluss zum Chip

0.25

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Junction-to-Case (pro Di ode)

0.080

0.095

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.037

0.044

0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Gewicht von Modul

300

g