IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

Einheiten

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

I C

Kollektorstrom @ T C = 25℃

@ T C =80 ℃

660

400

Ein

I CM (1)

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

800

Ein

I F

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

400

Ein

I FM (1)

Diode Maximale Vorwärtsleitung rent

800

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j = 150℃

2660

W

t SC

Kurzschluss Widerstandszeit @ T j =125 ℃

10

μs

t j

Maximale Junction-Temperatur

150

℃

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

℃

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Montage-Torque

Schraube für die Antriebsspitze:M6

2,5 bis 5.0

N.M

Montage Schraube:M6

3,0 bis 6.0

N.M

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v (BR )CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

t j =25 ℃

1200

v

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom

Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

I C =4,0 mA ,v CE = v GE , t j =25 ℃

4.4

4.9

6.0

v

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =400A,V GE =15V, t j =25 ℃

3.10

3.60

v

I C =400A,V GE =15V, t j = 125℃

3.45

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 400A, r g = 2,2Ω,V GE = ± 15 V, t j =25 ℃

680

NS

t r

Aufstiegszeit

142

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

638

NS

t F

Herbstzeit

99

NS

e auf

Einschaltsteuerung

Verlust

19.0

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

32.5

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 400A, r g = 2,2Ω,V GE = ± 15 V, t j = 125℃

690

NS

t r

Aufstiegszeit

146

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

669

NS

t F

Herbstzeit

108

NS

e auf

Einschaltsteuerung

Verlust

26.1

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

36.7

mJ

C ies

Eingangskapazität

v CE =30V, f=1MHz,

v GE =0V

33.7

NF

C - Die

Ausgangskapazität

2.99

NF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.21

NF

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10μs,V GE =15 V, t j =25 ℃ ,

v CC =600V, v CEM ≤ 1200V

2600

Ein

r Gint

Interne Gate-Widerstands tance

0.5

Ω

L CE

Streuinduktivität

18

nH

r CC ’+ EE ’

Modulanschlusswiderstand ce, Anschluss zu Chip

t C =25 ℃

0.32

m Ω

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =400A

t j =25 ℃

1.95

2.35

v

t j = 125℃

1.85

Q r

Wiederhergestellte Ladung

I F = 400A,

v r = 600 V,

mit einer Breite von mehr als 20 mm, v GE =- 15V

t j =25 ℃

24.1

μC

t j = 125℃

44.3

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

t j =25 ℃

220

Ein

t j = 125℃

295

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

t j =25 ℃

13.9

mJ

t j = 125℃

24.8

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

r θ JC

Verbindungen zu Fällen (pro IG) BT)

0.047

K/W

r θ JC

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.096

K/W

r θ CS

Gehäuse-zu-Senke (Leitfähige Paste a pplied)

0.035

K/W

g

Gewicht von Modul

350

g