GD400HFU120C2S, IGBT-Modul, STARPOWER

Kurze Einführung

IGBT-Modul , hergestellt von STARPOWER. 1200V 400A.

Funktionen

Typische Anwendungen

Absolut Maximum Kennwerte T C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Beschreibung	Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.	Einheiten
V CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	1200	V
V GES	Spannung des Tor-Emitters	± 20	V
I C	Kollektorstrom @ T C = 25℃ @ T C =80 ℃	660 400	Ein
I CM (1)	Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms	800	Ein
I F	Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom	400	Ein
I FM (1)	Diode Maximale Vorwärtsleitung rent	800	Ein
P D	Maximalleistung Ablösung @ T j = 150℃	2660	W
T SC	Kurzschluss Widerstandszeit @ T j =125 ℃	10	μs
T j	Maximale Junction-Temperatur	150	℃
T Stg	Lagerungstemperaturbereich	-40 bis +125	℃
V ISO	Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min	2500	V
Montage-Torque	Schraube für die Antriebsspitze:M6	2,5 bis 5.0	N.M
Montage-Torque	Montage Schraube:M6	3,0 bis 6.0	N.M

Elektrische Eigenschaften von IGBT T C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben

Ausschaltmerkmale

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
V (BR )CES	Kollektor-Emitter Durchschlagsspannung	T j =25 ℃	1200			V
I CES	Sammler Schnitt -Aus Aktuell	V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 ℃			5.0	mA
I GES	Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell	V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 ℃			400	nA

Einschaltmerkmale

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
V GE (th )	Gate-Emitter-Schwelle Spannung	I C =4,0 mA ,V CE = V GE , T j =25 ℃	4.4	4.9	6.0	V
V CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C =400A,V GE =15V, T j =25 ℃		3.10	3.60	V
V CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C =400A,V GE =15V, T j = 125℃		3.45		V

Schaltmerkmale

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
t d (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =600V,I C = 400A, R G = 2,2Ω,V GE = ± 15 V, T j =25 ℃		680		nS
t r	Aufstiegszeit			142		nS
t d (aus )	Ausschalten Verzögerungszeit			638		nS
t f	Herbstzeit			99		nS
E auf	Einschaltsteuerung Verlust			19.0		mJ
E aus	Ausschaltsteuerung Verlust			32.5		mJ
t d (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =600V,I C = 400A, R G = 2,2Ω,V GE = ± 15 V, T j = 125℃		690		nS
t r	Aufstiegszeit			146		nS
t d (aus )	Ausschalten Verzögerungszeit			669		nS
t f	Herbstzeit			108		nS
E auf	Einschaltsteuerung Verlust			26.1		mJ
E aus	Ausschaltsteuerung Verlust			36.7		mJ
C ies	Eingangskapazität	V CE =30V, f=1MHz, V GE =0V		33.7		nF
C - Die	Ausgangskapazität			2.99		nF
C res	Rückübertragungs- Kapazität			1.21		nF
I SC	SC-Daten	T P ≤ 10μs,V GE =15 V, T j =25 ℃ , V CC =600V, V CEM ≤ 1200V		2600		Ein
R Gint	Interne Gate-Widerstands tance			0.5		ω
L CE	Streuinduktivität				18	nH
R CC ’+ EE ’	Modulanschlusswiderstand ce, Anschluss zu Chip	T C =25 ℃		0.32		m ω

Elektrische Eigenschaften von Diode T C =25 ℃ es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen		Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
V F	Diodenvorwärts Spannung	I F =400A	T j =25 ℃		1.95	2.35	V
V F	Diodenvorwärts Spannung	I F =400A	T j = 125℃		1.85		V
Q r	Wiederhergestellte Ladung	I F = 400A, V R = 600 V, mit einer Breite von mehr als 20 mm, V GE =- 15V	T j =25 ℃		24.1		μC
Q r	Wiederhergestellte Ladung		T j = 125℃		44.3		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom		T j =25 ℃		220		Ein
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom		T j = 125℃		295		Ein
E erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie		T j =25 ℃		13.9		mJ
E erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie		T j = 125℃		24.8		mJ

Thermische Eigenschaften ics

Symbol	Parameter	- Das ist typisch.	Max.	Einheiten
R θ JC	Verbindungen zu Fällen (pro IG) BT)		0.047	K/W
R θ JC	Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel		0.096	K/W
R θ CS	Gehäuse-zu-Senke (Leitfähige Paste a pplied)	0.035		K/W
G	Gewicht von Modul	350		g