IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C

@ T C =90 O C

620

400

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

800

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T =175 O C

2272

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

v

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

400

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

800

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperatur Reichweite

-40 bis +125

O C

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =400A,V GE =15V, t j =25 O C

1.90

2.35

v

I C =400A,V GE =15V, t j = 125O C

2.40

I C =400A,V GE =15V, t j =150 O C

2.55

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 10.0mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.2

6.0

6.8

v

I CES

Sammler Schnitt -aus

Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t j =25 O C

100

NA

r Gint

Interner Gate-Widerst and

1.9

Ω

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 400A, r g = 0,38Ω,

v GE =±15V, t j =25 O C

1496

NS

t r

Aufstiegszeit

200

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

1304

NS

t F

Herbstzeit

816

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

27.6

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

20.8

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 400A, r g = 0,38Ω,

v GE =±15V, t j = 125O C

1676

NS

t r

Aufstiegszeit

252

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

1532

NS

t F

Herbstzeit

872

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

41.6

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

23.6

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C = 400A, r g = 0,38Ω,

v GE =±15V, t j = 150O C

1676

NS

t r

Aufstiegszeit

260

NS

t D (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

1552

NS

t F

Herbstzeit

888

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

46.0

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

24.0

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =400A,V GE =0V,T j =25 O C

1.90

2.35

v

I F =400A,V GE =0V,T j = 125O C

1.90

I F =400A,V GE =0V,T j = 150O C

1.90

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V,I F = 400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V t j =25 O C

20.4

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

180

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

6.8

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V,I F = 400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V t j = 125O C

52.4

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

264

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

19.5

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V,I F = 400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V t j = 150O C

60.8

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

284

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

22.6

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

15

nH

r CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.25

mΩ

r thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.066

0.093

K/W

r thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.034

0.048

0.010

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Gewicht von Modul

300

g