GD400CLU120C2S,IGBT-Modul,Chopper in einem Paket,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C

@ T C =60 o C

505

400

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

800

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =150 o C

2358

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

V

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

400

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

800

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

150

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +125

o C

T Stg

Lagertemperatur Reichweite

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =400A,V GE =15V, T j =25 o C

2.90

3.35

V

I C =400A,V GE =15V, T j =125 o C

3.60

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =4,0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.0

5.8

6.6

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus

Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

0.5

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

26.2

nF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.68

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =- 15…+15V

4.18

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 400A, R G = 2,4Ω,

V GE =±15V, T j =25 o C

337

nS

t r

Aufstiegszeit

88

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

460

nS

t f

Herbstzeit

116

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

21.2

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

19.4

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 400A, R G = 2,4Ω,

V GE =±15V, T j = 125o C

359

nS

t r

Aufstiegszeit

90

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

492

nS

t f

Herbstzeit

128

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

29.4

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

26.0

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =125 o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V

2400

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =400A,V GE =0V,T j =25 o C

2.00

2.45

V

I F =400A,V GE =0V,T j = 125o C

2.10

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F = 400A,

-di/dt=2840A/μs,V GE =±15V, T j =25 o C

27.0

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

280

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

16.6

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F = 400A,

-di/dt=2840A/μs,V GE =±15V, T j = 125o C

46.0

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

380

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

30.0

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.053

0.103

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.048

0.094

0.032

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Gewicht von Modul

350

g