Kurze Einführung
IGBT-Modul , hergestellt von STARPOWER. 1200V 600A.
Funktion
Typisch Anwendungen
Absolut Maximum Kennwerte t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben
IGBT
Symbol | Beschreibung | Wert | Einheit |
v CES | Spannung zwischen Kollektor und Emitter | 1200 | v |
v GES | Spannung des Tor-Emitters | ±20 | v |
I C | Kollektorstrom @ T C =25 O C @ T C =100 O C | 480 300 | Ein |
I CM | Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms | 600 | Ein |
P D | Maximalleistung Ablösung @ T j =175 O C | 1613 | W |
Diode
Symbol | Beschreibung | Wert | Einheit |
v RRM | Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung | 1200 | v |
I F | Diode kontinuierlich vorwärts rent | 300 | Ein |
I FM | Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms | 600 | Ein |
Modul
Symbol | Beschreibung | Wert | Einheit |
t jmax | Maximale Junction-Temperatur | 175 | O C |
t - Was ist los? | Betriebstemperatur der Sperrschicht | -40 bis +150 | O C |
t stg | Lagerungstemperatur Reichweite | -40 bis +125 | O C |
v ISO | Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min | 4000 | v |
IGBT Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheit |
VCE (Sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung | IC=300A,VGE=15V, Tj=25oC |
| 1.70 | 2.15 |
v |
IC=300A,VGE=15V, Tj=125oC |
| 1.95 |
| |||
IC=300A,VGE=15V, Tj=150oC |
| 2.00 |
| |||
VGE(th) | Gate-Emitter Schwellenwertspannung | IC=7.50mA,VCE=VGE, Tj=25oC | 5.2 | 6.0 | 6.8 | v |
ICES | Abschnittswert für den Sammler Aktuell | Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. Tj=25oC |
|
| 1.0 | mA |
IGES | Gate-Emitter Leckstrom | VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC |
|
| 400 | NA |
RGint | Interner Gate-Widerstand |
|
| 2.5 |
| Ω |
Cies | Eingangskapazität | VCE=25V,f=1MHz, VGE=0V |
| 31.1 |
| NF |
Cres | Rückübertragungs- Kapazität |
| 0.87 |
| NF | |
QG | Gate-Ladung | VGE=- 15…+15V |
| 2.33 |
| μC |
Die Daten sind nicht verfügbar. | Verzögerungszeit der Einleitung |
Die in Absatz 1 genannten Leistungen sind für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel |
| 182 |
| NS |
Tr | Aufstiegszeit |
| 54 |
| NS | |
Td (ausgeschaltet) | Verzögerungszeit für die Abschaltung |
| 464 |
| NS | |
TF | Herbstzeit |
| 72 |
| NS | |
EON | Einschaltsteuerung Verlust |
| 10.6 |
| mJ | |
EOFF | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 25.8 |
| mJ | |
Die Daten sind nicht verfügbar. | Verzögerungszeit der Einleitung |
Die in Absatz 1 genannten Leistungen sind für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel |
| 193 |
| NS |
Tr | Aufstiegszeit |
| 54 |
| NS | |
Td (ausgeschaltet) | Verzögerungszeit für die Abschaltung |
| 577 |
| NS | |
TF | Herbstzeit |
| 113 |
| NS | |
EON | Einschaltsteuerung Verlust |
| 16.8 |
| mJ | |
EOFF | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 38.6 |
| mJ | |
Die Daten sind nicht verfügbar. | Verzögerungszeit der Einleitung |
Die in Absatz 1 genannten Leistungen sind für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel |
| 203 |
| NS |
Tr | Aufstiegszeit |
| 54 |
| NS | |
Td (ausgeschaltet) | Verzögerungszeit für die Abschaltung |
| 618 |
| NS | |
TF | Herbstzeit |
| 124 |
| NS | |
EON | Einschaltsteuerung Verlust |
| 18.5 |
| mJ | |
EOFF | Ausschaltsteuerung Verlust |
| 43.3 |
| mJ | |
ISC |
SC-Daten | Die Prüfungen sind in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Regel in der Tj=150oC,VCC=900V, VCEM≤1200V |
|
1200 |
|
Ein |
Diode Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben
Symbol | Parameter | Prüfbedingungen | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheit |
VF | Diodenvorwärts Spannung | IF=300A,VGE=0V,Tj=25oC |
| 1.65 | 2.10 |
v |
IF=300A,VGE=0V,Tj= 125oC |
| 1.65 |
| |||
IF=300A,VGE=0V,Tj= 150oC |
| 1.65 |
| |||
Qr | Wiederhergestellte Ladung | Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. -di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V, Tj=25oC |
| 29 |
| μC |
IRM | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
| 318 |
| Ein | |
Erek | Rückwärtsrekuperationsenergie |
| 18.1 |
| mJ | |
Qr | Wiederhergestellte Ladung | Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. -di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V, Tj= 125oC |
| 55 |
| μC |
IRM | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
| 371 |
| Ein | |
Erek | Rückwärtsrekuperationsenergie |
| 28.0 |
| mJ | |
Qr | Wiederhergestellte Ladung | Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. -di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V, Tj= 150oC |
| 64 |
| μC |
IRM | Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
| 390 |
| Ein | |
Erek | Rückwärtsrekuperationsenergie |
| 32.8 |
| mJ |
Modul Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben
Symbol | Parameter | Min. | - Das ist typisch. | Max. | Einheit |
LCE | Streuinduktivität |
|
| 20 | nH |
RCC’+EE’ | Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip |
| 0.35 |
| mΩ |
RthJC | Junction-to-Case (pro IGBT) Junction-to-Case (pro Diode) |
|
| 0.093 0.155 | K/W |
RthCH | Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Verfahren. Gehäuse-Heatsink (pro Diode) Hülle-Heatsink (pro Modul) |
| 0.016 0.027 0.010 |
| K/W |
m | Anzugsmoment der Anschlussklemmen, Schraube M6 Montagemoment, Schraube M6 | 2.5 3.0 |
| 5.0 5.0 | N.M |
g | Gewicht des Moduls |
| 300 |
| g |
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