GD225HFX170C6S,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

396

225

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p = 1 ms

450

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 o C

1530

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1700

V

I F

Diode kontinuierlich vorwärts rent

225

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

450

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagertemperatur Reichweite

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =225A,V GE =15V, T j =25 o C

1.85

2.20

V

I C =225A,V GE =15V, T j =125 o C

2.25

I C =225A,V GE =15V, T j =150 o C

2.35

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =9.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus

Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

2.8

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

27.1

nF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

0.66

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =- 15…+15V

2.12

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =225A, R Gon =3.3Ω, R Goff =6.2Ω, V GE =±15V,

T j =25 o C

187

nS

t r

Aufstiegszeit

76

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

587

nS

t f

Herbstzeit

350

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

56.1

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

52.3

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =225A, R Gon =3.3Ω, R Goff =6.2Ω, V GE =±15V,

T j = 125o C

200

nS

t r

Aufstiegszeit

85

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

693

nS

t f

Herbstzeit

662

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

75.9

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

80.9

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =225A, R Gon =3.3Ω, R Goff =6.2Ω, V GE =±15V,

T j = 150o C

208

nS

t r

Aufstiegszeit

90

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

704

nS

t f

Herbstzeit

744

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

82.8

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

87.7

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150 o C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

900

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts

Spannung

I F =225A,V GE =0V,T j =25 o C

1.80

2.25

V

I F =225A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

I F =225A,V GE =0V,T j = 150o C

1.95

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C

63.0

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

352

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

37.4

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V T j =125 o C

107

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

394

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

71.0

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V T j =150 o C

121

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

385

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

82.8

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

δR/R

Abweichung von R 100

T C = 100 o C, R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

1.10

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Junction-to-Case (pro Di ode)

0.098

0.158

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.029

0.047

0.009

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Gewicht von Modul

350

g