IGBT-Modul 4500V

Parameter

Symbol

Bedingungen

Wert

Einheit

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

v CES

v GE =0V, t Vj =25 ° C

4500

v

DC-Kollektor Cu rrent

I C

t C =100 ° C,T Vj =125 ° C

2000

Ein

Spitzenstrom des Kollektors

I CM

t P =1ms

4000

Ein

Tor -Emitter Spannung

v GES

± 20

v

Gesamt Leistung Abgabe

P tot

t C =25 ° C,T Vj =125 ° C

20800

W

DC Vorwärts Cu rrent

I F

2000

Ein

Höhepunkt Vorwärts Cur rent

I FRM

t P =1ms

4000

Ein

Stromstoß

I FSM

v r =0V,T Vj =125 ° C,

t P =10ms,Halbwelle

14000

Ein

IGBT Kurzschluss SOA

t psc

v CC =3400V, v CEM Chip ≤4500V v GE ≤15V,T Vj ≤125 ° C

10

μs

Maximale Junction Temperatur

t Vj (Max )

125

℃

Junction Betriebstemperatur

t Vj (op )

-40~125

℃

Gehäusetemperatur

t C

-40~125

℃

Lagerungstemperatur

t stg

-40~70

℃

Montagekraft

F m

60~75

kN

Parameter

Symbol

Bedingungen

Wert

Einheit

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Kollektor-Emitter Durchbruchspannung

V(BR)CES

VGE=0V, IC=10mA, Tvj=25℃

4500

v

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

VCE (Sat)

IC=2000A, VGE=15V

Tvj=25℃

2.70

3.05

v

Tvj=125℃

3.35

3.85

v

Kollektor-Emitter Abschaltstrom

ICES

VCE=4500V, VGE=0V

Tvj=25℃

1

mA

Tvj=125℃

15

100

mA

Gate-Emitter Leckstrom

IGES

VCE=0V, VGE=±20V, Tvj=125℃

-500

500

NA

Gate-Emitter Schwellenwertspannung

VGE(th)

IC=320mA, VCE=VGE, Tvj=25℃

6.7

7.7

v

Gate-Ladung

QG

IC=2000A, VCE=2800V, VGE=-15V~+15V

10

μC

Eingangskapazität

Cies

VCE=25V, VGE=0V, f=500kHz, Tvj=25℃

213

NF

Ausgangskapazität

Coes

15.3

NF

Rückwärtsübertragungs-Kapazität

Cres

4.7

NF

Interner Gate-Widerstand

RGint

0

Ω

Verzögerungszeit der Einleitung

Die Daten sind nicht verfügbar.

IC=2000A,

VCE=2800V,

VGE=±15V,

RGon=1.8Ω,

RGoff=8.2Ω,

Cge=330nF,

LS=140nH,

Induktionslast

Tvj=25℃

1100

NS

Tvj=125℃

900

NS

Aufstiegszeit

Tr

Tvj=25℃

400

NS

Tvj=125℃

450

NS

Verzögerungszeit für die Abschaltung

Td (ausgeschaltet)

Tvj=25℃

3800

NS

Tvj=125℃

4100

NS

Herbstzeit

TF

Tvj=25℃

1200

NS

Tvj=125℃

1400

NS

Einschalt-Schaltenergie

EON

Tvj=25℃

14240

mJ

Tvj=125℃

15730

mJ

Ausschalt-Schaltenergie

EOFF

Tvj=25℃

6960

mJ

Tvj=125℃

8180

mJ

Kurzschlussstrom

ISC

VGE≤15V, tpsc≤10µs, VCC=3400V, Tvj=125℃

VCEM CHIP≤4500V

8400

Ein

Parameter

Symbol

Bedingungen

Wert

Einheit

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Durchlassspannung

VF

IF=2000A

Tvj=25℃

2.60

v

Tvj=125℃

2.85

v

Rückwärts-Rückgewinnungsstrom

Einfach

Die Prüfungen werden in der Regel in einem Zustand durchgeführt, in dem die Prüfungen nicht durch eine andere Prüfung durchgeführt werden.

Induktionslast

Tvj=25℃

1620

Ein

Tvj=125℃

1970

Ein

Rückwärts-Rückgewinnungsladung

Qrr

Tvj=25℃

1750

uC

Tvj=125℃

2700

uC

Rückwärts-Rückgewinnungszeit

trr

Tvj=25℃

4.0

USA

Tvj=125℃

5.1

USA

Rückwärts-Rückgewinnungsverlust

Erek

Tvj=25℃

2350

mJ

Tvj=125℃

3860

mJ