YT3000SW45,IGBT-Modul ,mit FWD, StakPak-Paket ,YT

Parameter

Symbol

Bedingungen

Wert

Einheit

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

V CES

V GE =0V, T vj =25 ° C

4500

V

DC-Kollektor Cu rrent

I C

T C =100 ° C,T vj =125 ° C

2000

Ein

Spitzenstrom des Kollektors

I CM

t p =1ms

4000

Ein

Tor -Emitter Spannung

V GES

± 20

V

Gesamt Leistung Abgabe

P tot

T C =25 ° C,T vj =125 ° C

20800

W

DC Vorwärts Cu rrent

I F

2000

Ein

Höhepunkt Vorwärts Cur rent

I FRM

t p =1ms

4000

Ein

Stromstoß

I FSM

V R =0V,T vj =125 ° C,

t p =10ms,Halbwelle

14000

Ein

IGBT Kurzschluss SOA

t psc

V CC =3400V, V CEM Chip ≤4500V V GE ≤15V,T vj ≤125 ° C

10

μs

Maximale Junction Temperatur

T vj (max )

125

℃

Junction Betriebstemperatur

T vj (op )

-40~125

℃

Gehäusetemperatur

T C

-40~125

℃

Lagertemperatur

T stg

-40~70

℃

Montagekraft

F M

60~75

kN

Parameter

Symbol

Bedingungen

Wert

Einheit

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Kollektor-Emitter Durchbruchspannung

V(BR)CES

VGE=0V, IC=10mA, Tvj=25℃

4500

V

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

VCE (Sat)

IC=2000A, VGE=15V

Tvj=25℃

2.70

3.05

V

Tvj=125℃

3.35

3.85

V

Kollektor-Emitter Abschaltstrom

ICES

VCE=4500V, VGE=0V

Tvj=25℃

1

mA

Tvj=125℃

15

100

mA

Gate-Emitter Leckstrom

IGES

VCE=0V, VGE=±20V, Tvj=125℃

-500

500

nA

Gate-Emitter Schwellenwertspannung

VGE(th)

IC=320mA, VCE=VGE, Tvj=25℃

6.7

7.7

V

Gate-Ladung

QG

IC=2000A, VCE=2800V, VGE=-15V~+15V

10

μC

Eingangskapazität

Cies

VCE=25V, VGE=0V, f=500kHz, Tvj=25℃

213

nF

Ausgangskapazität

Coes

15.3

nF

Rückwärtsübertragungs-Kapazität

Cres

4.7

nF

Interner Gate-Widerstand

RGint

0

ω

Verzögerungszeit der Einleitung

die Daten sind nicht verfügbar.

IC=2000A,

VCE=2800V,

VGE=±15V,

RGon=1.8Ω,

RGoff=8.2Ω,

Cge=330nF,

LS=140nH,

Induktionslast

Tvj=25℃

1100

nS

Tvj=125℃

900

nS

Aufstiegszeit

tr

Tvj=25℃

400

nS

Tvj=125℃

450

nS

Verzögerungszeit für die Abschaltung

td (ausgeschaltet)

Tvj=25℃

3800

nS

Tvj=125℃

4100

nS

Herbstzeit

tF

Tvj=25℃

1200

nS

Tvj=125℃

1400

nS

Einschalt-Schaltenergie

EON

Tvj=25℃

14240

mJ

Tvj=125℃

15730

mJ

Ausschalt-Schaltenergie

EOFF

Tvj=25℃

6960

mJ

Tvj=125℃

8180

mJ

Kurzschlussstrom

ISC

VGE≤15V, tpsc≤10µs, VCC=3400V, Tvj=125℃

VCEM CHIP≤4500V

8400

Ein

Parameter

Symbol

Bedingungen

Wert

Einheit

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Durchlassspannung

VF

IF=2000A

Tvj=25℃

2.60

V

Tvj=125℃

2.85

V

Rückwärts-Rückgewinnungsstrom

Einfach

Die Prüfungen werden in der Regel in einem Zustand durchgeführt, in dem die Prüfungen nicht durch eine andere Prüfung durchgeführt werden.

Induktionslast

Tvj=25℃

1620

Ein

Tvj=125℃

1970

Ein

Rückwärts-Rückgewinnungsladung

Qrr

Tvj=25℃

1750

uC

Tvj=125℃

2700

uC

Rückwärts-Rückgewinnungszeit

trr

Tvj=25℃

4.0

uSA

Tvj=125℃

5.1

uSA

Rückwärts-Rückgewinnungsverlust

Erek

Tvj=25℃

2350

mJ

Tvj=125℃

3860

mJ