4500V 3000A
Kurze Einführung:
Maßgeschneiderte Produktion von YT, StakPak-Paket, IGBT-Modul mit FWD.
Merkmale
Anwendungen
Maximum Nennwert Werte
Parameter | Symbol | Bedingungen | Wert | Einheit |
Sammler ‐Emitter Spannung | v CES | v GE =0V, t Vj =25 ° C | 4500 | v |
DC Sammler Aktuell | I C | t C =100 ° C, t Vj =125 ° C | 3000 | Ein |
Höhepunkt Sammler Aktuell | I CM | t P =1 ms | 6000 | Ein |
Tor ‐Emitter Spannung | v GES |
| ± 20 | v |
Gesamt Leistung Abgabe | P tot | t C =25 ° C, t Vj =125 ° C | 31200 | W |
DC Vorwärts Aktuell | I F |
| 3000 | Ein |
Höhepunkt Vorwärts Aktuell | I FRM | t P =1 ms | 6000 | Ein |
- Die Welle. Aktuell | I FSM | v r =0V, t Vj =125 ° C, t P =10 ms ,halb ‐Sinuswelle | 21000 | Ein |
IGBT Kurz SCHALTUNG SOA | t psc | v CC =3400V, v CEM Chip ≤4500V v GE ≤ 15 V, t Vj ≤125 ° C | 10 | μs |
Maximum Junction Temperatur | t Vj (Max ) |
| 125 | ℃ |
Junction Betrieb Temperatur | t Vj (op ) |
| -40 bis 125 | ℃ |
Fallstudie Temperatur | t C |
| -40 bis 125 | ℃ |
Lagerung Temperatur | t stg |
| - 40 bis 70 | ℃ |
Montage Kraft | F m |
| 90 bis 130 | kN |
Diode Eigenschaften Werte
Parameter | Symbol | Bedingungen | Wert | Einheit | |||
Min . | - Das ist typisch. | Max . | |||||
Durchlassspannung | v F | I F = 3000 A | t Vj =25 ℃ |
| 2.60 |
| v |
t Vj =125 ℃ |
| 2.85 |
| v | |||
umgekehrt Rückgewinnungsstrom | I RR |
Wenn = 3000A, VR = 2800V, die in Anhang I Nummer 2 genannten Prüfungen durchgeführt werden, RGon=1,5Ω, LS=140nH, Induktionslast | t Vj =25 ℃ |
| 1690 |
| Ein |
t Vj =125 ℃ |
| 2750 |
| Ein | |||
umgekehrt Einziehungsgebühr | Q RR | t Vj =25 ℃ |
| 3000 |
| uC | |
t Vj =125 ℃ |
| 3950 |
| uC | |||
umgekehrt Erholungszeit | t RR | t Vj =25 ℃ |
| 1.80 |
| USA | |
t Vj =125 ℃ |
| 2.20 |
| USA | |||
umgekehrt Genesung Energie Verlust | e Erklärungen | t Vj =25 ℃ |
| 4000 |
| mJ | |
t Vj =125 ℃ |
| 6300 |
| mJ | |||
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