YT3000SW45,IGBT-Modul,mit FWD, StakPak-Paket,YT

Parameter

Symbol

Bedingungen

Wert

Einheit

Sammler ‐Emitter Spannung

V CES

V GE =0V, T vj =25 ° C

4500

V

DC Sammler Aktuell

I C

T C =100 ° C, T vj =125 ° C

3000

Ein

Höhepunkt Sammler Aktuell

I CM

t p =1 ms

6000

Ein

Tor ‐Emitter Spannung

V GES

± 20

V

Gesamt Leistung Abgabe

P tot

T C =25 ° C, T vj =125 ° C

31200

W

DC Vorwärts Aktuell

I F

3000

Ein

Höhepunkt Vorwärts Aktuell

I FRM

t p =1 ms

6000

Ein

- Die Welle. Aktuell

I FSM

V R =0V, T vj =125 ° C,

t p =10 ms ,halb ‐sinuswelle

21000

Ein

IGBT Kurz SCHALTUNG SOA

t psc

V CC =3400V, V CEM Chip ≤4500V V GE ≤ 15 V, T vj ≤125 ° C

10

μs

Maximum Junction Temperatur

T vj (max )

125

℃

Junction Betrieb Temperatur

T vj (op )

-40 bis 125

℃

Fall temperatur

T C

-40 bis 125

℃

Lagerung Temperatur

T stg

- 40 bis 70

℃

Montage kraft

F M

90 bis 130

kN

Parameter

Symbol

Bedingungen

Wert

Einheit

Min .

- Das ist typisch.

Max .

Durchlassspannung

V F

I F = 3000 A

T vj =25 ℃

2.60

V

T vj =125 ℃

2.85

V

Umgekehrt Rückgewinnungsstrom

I rR

Wenn = 3000A, VR = 2800V,

die in Anhang I Nummer 2 genannten Prüfungen durchgeführt werden,

RGon=1,5Ω,

LS=140nH,

Induktionslast

T vj =25 ℃

1690

Ein

T vj =125 ℃

2750

Ein

Umgekehrt Einziehungsgebühr

Q rR

T vj =25 ℃

3000

uC

T vj =125 ℃

3950

uC

Umgekehrt Erholungszeit

t rR

T vj =25 ℃

1.80

uSA

T vj =125 ℃

2.20

uSA

Umgekehrt Genesung Energie Verlust

E erklärungen

T vj =25 ℃

4000

mJ

T vj =125 ℃

6300

mJ