IDG75X12T2, IGBT diskret, Starter

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C @ T C =100 O C

150

75

Ein

I CM

Pulsierend Sammler Aktuell t P Begrenzt von t vjmax

225

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T Vj =175 O C

852

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter

1200

V

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

75

Ein

I FM

Pulsierend Sammler Aktuell t P Begrenzt von t vjmax

225

Ein

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

t vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +175

O C

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-55 bis +150

O C

t s

Löt Temperatur,1.6mm f rom Gehäuse für 10er

260

O C

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C = 75A,V GE =15V, t Vj =25 O C

1.75

2.20

V

I C = 75A,V GE =15V, t Vj =150 O C

2.10

I C = 75A,V GE =15V, t Vj =175 O C

2.20

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 3,00 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C

5.0

5.8

6.5

V

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C

250

μA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C

100

NA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

2.0

Ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

6.58

NF

C - Die

Ausgangskapazität

0.40

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.19

NF

Q g

Gate-Ladung

V GE =-15…+15V

0.49

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 75A, R g = 4,7Ω,

V GE =±15V, Ls=40nH,

t Vj =25 O C

41

NS

t R

Aufstiegszeit

135

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

87

NS

t F

Herbstzeit

255

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

12.5

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

3.6

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 75A, R g = 4,7Ω,

V GE =±15V, Ls=40nH,

t Vj =150 O C

46

NS

t R

Aufstiegszeit

140

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

164

NS

t F

Herbstzeit

354

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

17.6

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

6.3

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 75A, R g = 4,7Ω,

V GE =±15V, Ls=40nH,

t Vj =175 O C

46

NS

t R

Aufstiegszeit

140

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

167

NS

t F

Herbstzeit

372

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

18.7

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

6.7

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

t Vj =175 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

300

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F = 75A,V GE =0V,T Vj =2 5O C

1.75

2.20

V

I F = 75A,V GE =0V,T Vj =15 0O C

1.75

I F = 75A,V GE =0V,T Vj =17 5O C

1.75

trr

Diode Rückwärts Erholungszeit

V R =600V,I F = 75A,

-di/dt=370A/μs,V GE =-15 V, Ls=40nH,

t Vj =25 O C

267

NS

Q R

Wiederhergestellte Ladung

4.2

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

22

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

1.1

mJ

trr

Diode Rückwärts Erholungszeit

V R =600V,I F = 75A,

-di/dt=340A/μs,V GE =-15 V, Ls=40nH,

t Vj =150 O C

432

NS

Q R

Wiederhergestellte Ladung

9.80

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

33

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

2.7

mJ

trr

Diode Rückwärts Erholungszeit

V R =600V,I F = 75A,

-di/dt=320A/μs,V GE =-15 V, Ls=40nH,

t Vj =175 O C

466

NS

Q R

Wiederhergestellte Ladung

11.2

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

35

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

3.1

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.176 0.371

K/W

R Die

Verbindung zum Umfeld

40

K/W