Produktbroschüre:HERUNTERLADEN
IT(AV) |
1500Ein |
VDRM, VRRM |
8000V 8500V |
Funktionen :
Typische Anwendungen :
Symbol |
Eigenschaften |
Prüfbedingungen |
Tj(°C ) |
Wert |
Einheit |
|||
Min |
TYP |
Max |
||||||
IT(AV) |
Mittlerer Einschaltstrom |
180。halbe Sinuswelle 50Hz doppelseitig gekühlt |
TC=70 ℃ |
115 |
|
|
1500 |
Ein |
Ich bin hier |
Wiederholender Spitzenstrom |
bei VDRM tp= 10ms bei VRRM tp= 10ms |
115 |
|
|
600 |
mA |
|
ITSM |
Überschuss-Einschaltstrom |
10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM |
115 |
|
|
17 |
kA |
|
1 t |
I2t für Fusionskoordination |
|
|
1445 |
103A2s |
|||
VTO |
Schwellenspannung |
|
115 |
|
|
1.35 |
V |
|
rT |
Einschaltsteigungswiderstand |
|
|
0.53 |
mΩ |
|||
VTM |
Spitzeneinschaltspannung |
ITM= 1500A, F=70kN |
25 |
|
|
2.00 |
V |
|
dv/dt |
Kritische Steigrate der Ausschaltspannung |
VDM=0.67VDRM |
115 |
|
|
2000 |
V/μs |
|
di/dt |
Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms |
VDM=67%VDRM, Gate-Puls tr ≤0.5μs IGM= 1.5A |
115 |
|
|
200 |
A/μs |
|
Qrr |
Einziehungsgebühr |
ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-5A/μs, VR=50V |
115 |
|
5000 |
|
μC |
|
IGT |
Gate-Auslöseström |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
40 |
|
300 |
mA |
|
- Ich weiß. |
Gate-Auslösespannung |
0.8 |
|
3.0 |
V |
|||
IH |
Haltestrom |
25 |
|
200 |
mA |
|||
VGD |
Nicht-auslösende Gate-Spannung |
VDM=67%VDRM |
115 |
|
|
0.3 |
V |
|
Rth(j-c) |
Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse |
Doppelseitig gekühlt |
|
|
|
0.009 |
。C /W |
|
Rth(c-h) |
Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper |
|
|
|
0.002 |
|||
FM |
Montagekraft |
|
|
63 |
70 |
84 |
kN |
|
Fernsehen |
Junction-Temperatur |
|
|
-40 |
|
115 |
℃ |
|
Tstg |
Lagertemperatur |
|
|
-40 |
|
140 |
℃ |
|
Wt |
Gewicht |
|
|
|
1920 |
|
g |
|
Gliederung |
KT78dT |
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