H50KPU,Phasensteuerung Thyristor

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj(°C )

Wert

Einheit

Min

TYP

Max

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180° halbe Sinuswelle 50Hz

Doppelseitig gekühlt, TC=70 。C

125

600

Ein

VDRM VRRM

Wiederholte Spitzen-Ausschaltspannung Wiederholte Spitzen-Rückwärts-Spannung

tp=10ms

125

7300

8500

V

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

@ VDRM @ VRRM

125

200

mA

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM

125

9.8

kA

1 t

I2t für Fusionskoordination

480

A2s*103

VTO

Schwellenspannung

125

1.04

V

rT

Einschaltsteigungswiderstand

2.33

mΩ

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM=1000A, F=24kN

25

2.95

V

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=0.67VDRM

125

2000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

VDM= 67%VDRM bis 2000A,

Schleusenpuls tr ≤ 0,5 μs IGM ＝ 2,0A

125

100

A/μs

Qrr

Einziehungsgebühr

ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-5A/µs, VR=100V

125

2500

μC

IGT

Gate-Auslöseström

VA=12V, IA=1A

25

40

300

mA

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

3.0

V

IH

Haltestrom

25

200

mA

IL

Haltestrom

500

mA

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=0.67VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Bei 1800 Sinus, doppelseitig gekühlt, Klemmkraft 24.0kN

0.022

。C /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

0.005

。C /W

FM

Montagekraft

19

24

26

kN

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

℃

Tstg

Lagertemperatur

-40

140

℃

Wt

Gewicht

560

g

Gliederung

KT50dT