Phasensteuerthyristor

Symbol

Eigenschaft

Prüfbedingungen

Tj(。C)

Wert

Einheit

Min

Typ

maximal

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180。halbe Sinuswelle 50Hz

Doppelseitig gekühlt, TC=70。c

125

600

a)

VDRM VRRM

Wiederholte Spitzen-Ausschaltspannung Wiederholte Spitzen-Rückwärts-Spannung

tp=10ms

125

7300

8500

v

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

@ VDRM @ VRRM

125

200

- Ich weiß.

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM

125

9.8

Ka

1 t

I2t für Fusionskoordination

480

A2s*103

VTO

Schwellenspannung

125

1.04

v

rt

Einschaltsteigungswiderstand

2.33

mΩ

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM=1000A, F=24kN

25

2.95

v

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=0.67VDRM

125

2000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

VDM= 67%VDRM bis 2000A,

Gate-Puls tr ≤0.5μs    IGM＝2.0a

125

100

A/μs

Qrr

Einziehungsgebühr

ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-5A/µs, VR=100V

125

2500

μC

IGT

Gate-Auslöseström

VA=12V, IA=1A

25

40

300

- Ich weiß.

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

3.0

v

IH

Haltestrom

25

200

- Ich weiß.

Der

Haltestrom

500

- Ich weiß.

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=0.67VDRM

125

0.3

v

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Bei 1800 Sinus, doppelseitig gekühlt, Klemmkraft 24.0kN

0.022

。C /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

0.005

。C /W

fm

Montagekraft

19

24

26

kn

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

。c

Tstg

Lagertemperatur

-40

140

。c

Wt

Gewicht

560

G

Umriss

KT50dT