H38ZPU,Gerechtigungsdiode

I _T(AV)

400Ein

V _RRM

8100V 8300V

8500V

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj( ℃ )

Wert

Einheit

Min

TYP

Max

IF(AV)

Mittlerer Vorwärtsstrom

180° halbe Sinuswelle 50Hz doppelseitig gekühlt

TC=85 ℃

150

400

Ein

VRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

tp=10ms

150

8000

8500

V

IRRM

Wiederholender Spitzenstrom

bei VRRM tp=10 ms

150

50

mA

IFSM

Überspannungsstrom

10ms halbe Sinuswelle. VR=0.6VRRM

150

6.0

kA

1 t

I2t für Fusionskoordination

180

10³Ein ²s

VFO

Schwellenspannung

150

1.40

V

rF

Vorwärtssteigungswiderstand

2.20

mΩ

VFM

Spitzenvorwärtsspannung

IFM=1000A, F=24kN

25

2.55

V

Qrr

Einziehungsgebühr

IFM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

150

2500

μC

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Doppelseitig gekühlt Klemmkraft 15kN

0.045

℃ /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

0.008

FM

Montagekraft

10

20

kN

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

150

℃

Tstg

Lagertemperatur

-40

160

℃

Wt

Gewicht

300

g

Gliederung

ZT33dT