Phasensteuerthyristor

IT(AV)

350A

VDRM, VRRM

7500V8000V

8500V

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj(℃)

Wert

Einheit

Min

Typ

Max

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180°halbe Sinuswelle 50Hz

Doppelseitig gekühlt TC=70℃

125

300

Ein

VDRM VRRM

Wiederholte Spitzen-Ausschaltspannung Wiederholte Spitzen-Rückwärts-Spannung

tp=10ms

125

7300

8500

v

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

@VDRM @VRRM

125

200

mA

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM

125

4.0

kA

1 t

I2t für Fusionskoordination

80

Ein²s* 10³

VTO

Schwellenspannung

125

2.02

v

rT

Einschaltsteigungswiderstand

2.19

mΩ

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM=500A, F= 15kN

25

3.00

v

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=0.67VDRM

125

2000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

VDM= 67%VDRM,

Gate-Puls tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

100

A/μs

Qrr

Einziehungsgebühr

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-5A/μs, VR= 100V

125

1500

μC

IGT

Gate-Auslöseström

VA= 12V, IA= 1A

25

40

300

mA

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

3.0

v

IH

Haltestrom

20

200

mA

IL

Haltestrom

500

mA

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=0.67VDRM

125

0.3

v

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Bei 1800 Sinus, doppelseitig gekühlt, Klemmkraft 15kN

0.045

℃/W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

0.008

℃/W

FM

Montagekraft

10

15

20

kN

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

℃

Tstg

Lagertemperatur

-40

140

℃

Wt

Gewicht

300

g

Gliederung

KT33dT