Teil Nr. H38KFM-KT33cT
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IchT(AV) | 350a) |
vDRM | 4000V~4500V |
vRRM | 1000V~3000V |
tQ | 50~120 μs |
Merkmale
typische Anwendungen
Symbol |
Eigenschaft |
Prüfbedingungen | Tj(°C) | Wert |
Einheit | ||||
Min | Typ | maximal | |||||||
IT(AV) | Mittlerer Einschaltstrom | 180- Nein.Halbe Sinuswelle 50Hz doppelseitig gekühlt, | TC=55°C | 125 |
|
| 350 | a) | |
VDRM | Wiederholte Spitzen-Ausschaltspannung |
tp=10ms | 125 | 4000 |
| 4500 | v | ||
VRRM | Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung | 125 | 1000 |
| 3000 | v | |||
Ich bin hier | Wiederholender Spitzenstrom | bei VDRM bei VRRM | 125 |
|
| 60 | - Ich weiß. | ||
ITSM | Überschuss-Einschaltstrom | 10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM |
125 |
|
| 5.0 | Ka | ||
1 t | I2t für Fusionskoordination |
|
| 125 | A2s*103 | ||||
VTO | Schwellenspannung |
|
125 |
|
| 1.48 | v | ||
rt | Einschaltsteigungswiderstand |
|
| 2.00 | mΩ | ||||
VTM | Spitzeneinschaltspannung |
Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. | 50≤q≤60 |
25 |
|
| 3.60 | v | |
61≤q≤120 |
|
| 2.80 | v | |||||
dv/dt | Kritische Steigrate der Ausschaltspannung | VDM=0.67VDRM | 125 |
|
| 1000 | V/μs | ||
di/dt | Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms | VDM= 67% VDRM bei 1000A, Gate-Puls tr ≤0.5μs IGM=1.5A | 125 |
|
| 1200 | A/μs | ||
Qrr | Einziehungsgebühr | Die in Absatz 1 genannten Leistungen sind für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel für die Berechnung der Leistungsspiegel | 125 |
| 350 |
| μC | ||
Tq | Schaltungskommutierte Abschaltzeit | Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel. | 125 | 50 |
| 120 | μs | ||
IGT | Gate-Auslöseström |
VA=12V, IA=1A |
25 | 40 |
| 250 | - Ich weiß. | ||
- Ich weiß. | Gate-Auslösespannung | 0.9 |
| 2.5 | v | ||||
IH | Haltestrom | 20 |
| 400 | - Ich weiß. | ||||
Der | Haltestrom |
|
| 500 | - Ich weiß. | ||||
VGD | Nicht-auslösende Gate-Spannung | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 0.3 | v | ||
Rth(j-c) | Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse | Bei 1800 Sinus, doppelseitig gekühlte Klemmkraft 15kN |
|
|
| 0.035 |
。C /W | ||
Rth(c-h) | Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper |
|
|
| 0.008 | ||||
fm | Montagekraft |
|
| 10 |
| 20 | kn | ||
Fernsehen | Junction-Temperatur |
|
| -40 |
| 125 | °C | ||
Tstg | Lagertemperatur |
|
| -40 |
| 140 | °C | ||
Wt | Gewicht |
|
|
| 250 |
| G | ||
Umriss | KT33cT | ||||||||
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