H150KPU,Phasensteuerung Thyristor

Teilenummer H150KPU-KT140cT

Brand:

TECHSEM

Spu:

H150KPU-KT140cT

Appurtenance:

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IT(AV)

4200Ein

VDRM, VRRM

7500 V bis 8000 V

8500V

Funktionen ：

Typische Anwendungen ：

Symbol	Eigenschaften	Prüfbedingungen		Tj(°C )	Wert			Einheit
Symbol	Eigenschaften	Prüfbedingungen		Tj(°C )	Min	TYP	Max	Einheit
IT(AV)	Mittlerer Einschaltstrom	180° halbe Sinuswelle 50Hz doppelseitig gekühlt	TC=70 ℃	100			4200	Ein
VDRM VRRM	Wiederholte Spitzen-Ausschaltspannung Wiederholte Spitzen-Rückwärts-Spannung	tp=10ms		125	7300		8500	V
Ich bin hier	Wiederholender Spitzenstrom	bei VDRM bei VRRM		100			800	mA
Ich bin hier	Wiederholender Spitzenstrom	@7000V, DC		25			100	μA
ITSM	Überschuss-Einschaltstrom	10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM		100			100	kA
1 t	I2t für Fusionskoordination	10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM		100			50000	103A2s
VTO	Schwellenspannung			100			1.56	V
rT	Einschaltsteigungswiderstand			100			0.12	mΩ
VTM	Spitzeneinschaltspannung	ITM=5000A, F=120kN		25			2.40	V
dv/dt	Kritische Steigrate der Ausschaltspannung	VDM=0.67VDRM		100			2000	V/μs
di/dt	Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms	VDM= 67%VDRM, Gate-Puls tr ≤0.5μs IGM=1.5A		100			600	A/μs
Qrr	Einziehungsgebühr	ITM=3000A, tp=4000µs, di/dt=-5A/µs, VR=100V		100		9200		μC
IGT	Gate-Auslöseström	VA=12V, IA=1A		25	40		300	mA
- Ich weiß.	Gate-Auslösespannung				0.8		3.5	V
IH	Haltestrom				20		1000	mA
IL	Haltestrom						1000	mA
VGD	Nicht-auslösende Gate-Spannung	VDM=67%VDRM		100			0.3	V
Rth(j-c)	Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse	Bei 180 。Sinus, doppelseitig gekühlt Klemmkraft 120kN					0.0020	。C /W
Rth(c-h)	Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper	Bei 180 。Sinus, doppelseitig gekühlt Klemmkraft 120kN					0.0005	。C /W
FM	Montagekraft				165	175	190	kN
Fernsehen	Junction-Temperatur				-40		100	℃
Tstg	Lagertemperatur				-40		140	℃
Wt	Gewicht					4000		g
Gliederung	KT140cT