Phasensteuerthyristor

Symbol

Eigenschaft

Prüfbedingungen

Tj(。C)

Wert

Einheit

Min

Typ

maximal

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180。halbe Sinuswelle 50Hz doppelseitig gekühlt

TC=70。c

100

4200

a)

VDRM VRRM

Wiederholte Spitzen-Ausschaltspannung Wiederholte Spitzen-Rückwärts-Spannung

tp=10ms

125

7300

8500

v

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM bei VRRM

100

800

- Ich weiß.

@7000V, DC

25

100

μA

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM

100

100

Ka

1 t

I2t für Fusionskoordination

50000

103A2s

VTO

Schwellenspannung

100

1.56

v

rt

Einschaltsteigungswiderstand

0.12

mΩ

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM=5000A, F=120kN

25

2.40

v

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=0.67VDRM

100

2000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

VDM= 67%VDRM,

Gate-Puls tr ≤0.5μs    IGM=1.5A

100

600

A/μs

Qrr

Einziehungsgebühr

ITM=3000A, tp=4000µs, di/dt=-5A/µs, VR=100V

100

9200

μC

IGT

Gate-Auslöseström

VA=12V, IA=1A

25

40

300

- Ich weiß.

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

3.5

v

IH

Haltestrom

20

1000

- Ich weiß.

Der

Haltestrom

1000

- Ich weiß.

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

100

0.3

v

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Bei 180。Sinus, doppelseitig gekühlt Klemmkraft 120kN

0.0020

。C /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

0.0005

fm

Montagekraft

165

175

190

kn

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

100

。c

Tstg

Lagertemperatur

-40

140

。c

Wt

Gewicht

4000

G

Umriss

KT140cT