Phasensteuerthyristor

Symbol

Eigenschaft

Prüfbedingungen

Tj(。C)

Wert

Einheit

Min

Typ

maximal

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180。halbe Sinuswelle 50Hz Doppelseitig gekühlt

TC=55。c

90

2800

a)

IDRM IRRM

Wiederholte Spitzen Strom

bei VDRM- Das ist nicht wahr.tp= 10 ms bei VRRM- Das ist nicht wahr.tp= 10 ms

90

700

- Ich weiß.

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

10 ms halbe SinuswelleVR=0.6VRRM

90

40

Ka

Ich2t

Ich2t für die Schmelzsicherung

8000

103a)2s

VTO

Schwellenspannung

90

0.92

v

rt

Einschaltsteigungswiderstand

0.32

mΩ

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM=3000A, F= 120kN

25

1.95

v

dv/dt

Kritische Anstiegsrate of im Sperrzustand Spannung

VDM=0.67VDRM

90

2000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsratee des Einschaltzustands Strom

VDM=67%VDRM,

Gate-Puls tr ≤0.5μs- Ich weiß.IGM= 1.5a

90

100

A/μs

Qrr

Einziehungsgebühr

ITM=2000A, tp=4000μs,di/dt=-5A/μs,VR=50V

90

6500

μC

IGT

Gate-Auslöseström

VA= 12V, IA= 1a

25

40

300

- Ich weiß.

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

3.0

v

Ichh

Haltestrom

25

200

- Ich weiß.

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

90

0.3

v

Rth(j-c)

Wärmeleitfähigkeit Verbindung von Halbleiter zu Gehäuse

Doppelseitig gekühlt

Klemmkraft 120kN

0.004

。c /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Heizkessel

0.001