Teilenummer H125KPU-KT110dT
Produktbroschüre:HERUNTERLADEN
IT(AV) |
2800Ein |
VDRM, VRRM |
8000V 8500V |
Funktionen ：
Typische Anwendungen ：
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Symbol |
Eigenschaften |
Prüfbedingungen |
Tj(°C ) |
Wert |
Einheit |
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Min |
TYP |
Max |
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IT(AV) |
Mittlerer Einschaltstrom |
180。halbe Sinuswelle 50Hz Doppelseitig gekühlt |
TC=55 。C |
90 |
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2800 |
Ein |
IDRM IRRM |
Wiederholte Spitzen aktuell |
bei VDRM tp= 10ms bei VRRM tp= 10ms |
90 |
|
|
700 |
mA |
|
ITSM |
Überschuss-Einschaltstrom |
10ms halbe Sinuswelle VR=0,6VRRM |
90 |
|
|
40 |
kA |
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I 2t |
I 2t für die Schmelzsicherung |
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8000 |
103Ein 2s |
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VTO |
Schwellenspannung |
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90 |
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0.92 |
V |
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rT |
Einschaltsteigungswiderstand |
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0.32 |
mΩ |
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VTM |
Spitzeneinschaltspannung |
ITM=3000A, F= 120kN |
25 |
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1.95 |
V |
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dv/dt |
Kritische Anstiegsrate o f im Sperrzustand spannung |
VDM=0.67VDRM |
90 |
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2000 |
V/μs |
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di/dt |
Kritische Anstiegsrate e des Einschaltzustands aktuell |
VDM=67%VDRM, Gate-Puls tr ≤0.5μs IGM= 1.5A |
90 |
|
|
100 |
A/μs |
|
Qrr |
Einziehungsgebühr |
ITM=2000A, tp=4000μs, die in Anhang I Nummern 1 bis 6 genannten Prüfungen durchgeführt werden; VR=50V |
90 |
|
6500 |
|
μC |
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IGT |
Gate-Auslöseström |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
40 |
|
300 |
mA |
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- Ich weiß. |
Gate-Auslösespannung |
0.8 |
|
3.0 |
V |
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I H |
Haltestrom |
25 |
|
200 |
mA |
|||
VGD |
Nicht-auslösende Gate-Spannung |
VDM=67%VDRM |
90 |
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|
0.3 |
V |
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Rth(j-c) |
Wärmeleitfähigkeit Verbindung von Halbleiter zu Gehäuse |
Doppelseitig gekühlt Klemmkraft 120kN |
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0.004 |
。C /W |
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Rth(c-h) |
Wärmeleitfähigkeit gehäuse zu heizkessel |
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|
|
0.001 |
|||
DE
