H100KFM, Nicht-symmetrischer Schnellabschalt-Thyristor

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj(°C )

Wert

Einheit

Min

TYP

Max

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180。Halbe Sinuswelle 50Hz doppelseitig gekühlt,

TC=55°C

125

4500

Ein

TC=70°C

125

3800

Ein

VDRM

Wiederholte Spitzen-Ausschaltspannung

tp=10ms

125

4000

4500

V

VRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

125

1000

3000

V

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM bei VRRM

125

500

mA

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM

125

50

kA

1 t

I2t für Fusionskoordination

12500

103A2s

VTO

Schwellenspannung

125

1.58

V

rT

Einschaltsteigungswiderstand

0.15

mΩ

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM=5000A, F=70kN 。

60

25

2.60

V

101

25

2.00

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

VDM= 67%VDRM bei 4000A

Gate-Puls tr ≤0.5μs IGM= 1.5A

125

1200

A/μs

Qrr

Einziehungsgebühr

ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-5A/µs, VR=100V

125

2500

4000

μC

Tq

Schaltungskommutierte Abschaltzeit

ITM=2000A, tp=4000µs, VR= 100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-5A/µs

125

60

100

200

μs

IGT

Gate-Auslöseström

VA= 12V, IA= 1A

25

50

300

mA

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

3.5

V

IH

Haltestrom

20

1000

mA

IL

Haltestrom

1500

mA

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

0.25

V

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Doppelseitig gekühlt

0.005

℃ /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

0.0015

FM

Montagekraft

81

108

kN

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

℃

Tstg

Lagertemperatur

-40

140

℃

Wt

Gewicht

1880

g

Gliederung

KT100cT