GD950HTX75P6HB

Einführung

Kurze Einführung

IGBT-Modul ,von Stärken . 950V 750A.

Funktionen

Niedriges VCE(sat) Trench IGBT-Technologie
Niedrige Schaltverluste
6 μs Kurzschlussfähigkeit
VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
Maximale Knotentemperatur 175 ℃
Niedrige Induktivitätsgehäuse
Schnelle & sanfte Rückwärtsrekuperation antiparallele FWD
Isolierte Kupferpinfin-Bauplatte mit Si ₃N ₄AMB-Technologie

Typische Anwendungen

Automobilanwendung
Hybrid- und Elektrofahrzeuge
Wechselrichter für Motorantrieb

Absolut Maximum Kennwerte t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

IGBT

Symbol	Beschreibung	Werte	Einheit
V CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	750	V
V GES	Spannung des Tor-Emitters	±20	V
I CN	Implementierter Sammler Cu rrent	950	Ein
I C	Kollektorstrom @ T F =90 O C	450	Ein
I CM	Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms	1900	Ein
P D	Maximale Leistungsauslagerung ation @ t F = 75 O C t j =175 O C	877	W

Diode

Symbol	Beschreibung	Werte	Einheit
V RRM	Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter	750	V
I FN	Implementierter Sammler Cu rrent	950	Ein
I F	Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent	450	Ein
I FM	Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms	1900	Ein

Modul

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
t jmax	Maximale Junction-Temperatur	175	O C
t - Was ist los?	Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich Für 10 Sekunden innerhalb eines Zeitraums von 30s, Auftreten maximal 3000-mal im Lebenszyklus	-40 bis +150 +150 bis +175	O C
t stg	Lagerungstemperaturbereich	-40 bis +125	O C
V ISO	Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min	2500	V

IGBT Eigenschaften t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C = 450 A, V GE =15V, t j =25 O C		1.25	1.50	V
		I C = 450 A, V GE =15V, t j =150 O C		1.35
		I C = 450 A, V GE =15V, t j =175 O C		1.40
		I C =950A,V GE =15V, t j =25 O C		1.60
		I C =950A,V GE =15V, t j =175 O C		2.05
V GE (th )	Gate-Emitter-Schwelle Spannung	I C =9.60 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C	5.0	5.7	7.0	V
		I C =9.60 mA ,V CE = V GE , t j =175 O C		3.5		V
I CES	Sammler Schnitt -aus Aktuell	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C			1.0	mA
I GES	Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C			400	NA
R Gint	Interner Gate-Widerstand			0.7		Ω
C ies	Eingangskapazität	V CE =50V, f=100kHz, V GE =0V		42.1		NF
C - Die	Ausgangskapazität			1.80		NF
C res	Rückübertragungs- Kapazität			1.18		NF
Q g	Gate-Ladung	V CE =400V,I C =450A, V GE =-8...+15V		3.01		μC
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =400V,I C = 450 A, R g = 2,4Ω, L s =24 nH V GE =-8V/+15V, t j =25 O C		126		NS
t R	Aufstiegszeit			62		NS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			639		NS
t F	Herbstzeit			149		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			17.3		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			25.4		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =400V,I C = 450 A, R g = 2,4Ω, L s =24 nH V GE =-8V/+15V, t j =150 O C		136		NS
t R	Aufstiegszeit			68		NS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			715		NS
t F	Herbstzeit			221		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			22.5		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			31.0		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =400V,I C = 450 A, R g = 2,4Ω, L s =24 nH V GE =-8V/+15V, t j =175 O C		138		NS
t R	Aufstiegszeit			68		NS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			739		NS
t F	Herbstzeit			227		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			24.8		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			32.6		mJ
I SC	SC-Daten	t P ≤6μs,V GE =15V,		5100		Ein
		t j =25 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V
		t P ≤3μs,V GE =15V, t j =175 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V		3800

Diode Eigenschaften t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V F	Diodenvorwärts Spannung	I F = 450 A, V GE =0V,T j =25 O C		1.40	1.65	V
		I F = 450 A, V GE =0V,T j =1 50O C		1.35
		I F = 450 A, V GE =0V,T j =1 75O C		1.30
		I F =950A,V GE =0V,T j =25 O C		1.75
		I F =950A,V GE =0V,T j =1 75O C		1.75
Q R	Wiederhergestellte Ladung	V R =400V,I F = 450 A, -di/dt=7070A/μs,V GE = 8V L s =24 nH ,t j =25 O C		16.0		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			254		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			5.03		mJ
Q R	Wiederhergestellte Ladung	V R =400V,I F = 450 A, -di/dt=6150A/μs,V GE = 8V L s =24 nH ,t j =150 O C		36.0		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			320		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			9.49		mJ
Q R	Wiederhergestellte Ladung	V R =400V,I F = 450 A, -di/dt=6010A/μs,V GE = 8V L s =24 nH ,t j =175 O C		40.5		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			338		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			10.5		mJ

NTC Eigenschaften t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
R 25	Nennwiderstand			5.0		kΩ
∆R/R	Abweichung von R 100	t C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Leistung Abgabe				20.0	mW
B 25/50	B-Wert	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-Wert	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-Wert	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modul Eigenschaften t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
L CE	Streuinduktivität		8		nH
R CC’+EE’	Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip		0.75		mΩ
△ P	△ V/ △ t=10,0 dm 3/Min ,t F = 75 O C		64		Mbar
P	Maximaler Kühldruck Schönheit t Ausfallplatte < 40 O C t Ausfallplatte > 40 O C (relativer Druck)			2.5 2.0	Stange
R Die	Junction -Um -Kühlung Flüssigkeit (proIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D (in der Regel △ V/ △ t=10,0 dm 3/Min ,t F = 75 O C		0.098 0.140	0.114 0.160	K/W
m	Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.M
g	Gewicht von Modul		750		g