GD950HTX75P6H

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

750

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I CN

Implementierter Sammler Cu rrent

950

Ein

I C

Kollektorstrom @ T F = 75 O C

450

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

1900

Ein

P D

Maximale Leistungsauslagerung ation @ t F = 75 O C t Vj =175 O C

877

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter

750

V

I FN

Implementierter Sammler Cu rrent

950

Ein

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

450

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

1900

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t vjop

Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich

Für 10 Sekunden innerhalb eines Zeitraums von 30s, Auftreten maximal 3000-mal im Lebenszyklus

-40 bis +150 +150 bis +175

O C

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

O C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C = 450 A, V GE =15V, t Vj =25 O C

1.35

1.60

V

I C = 450 A, V GE =15V, t Vj =150 O C

1.60

I C = 450 A, V GE =15V, t Vj =175 O C

1.65

I C =950A,V GE =15V, t Vj =25 O C

1.75

I C =950A,V GE =15V, t Vj =175 O C

2.35

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =9.60 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C

4.9

5.8

6.5

V

I C =9.60 mA ,V CE = V GE , t Vj =175 O C

4.1

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C

400

NA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

0.7

Ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =50V, f=100kHz, V GE =0V

69.1

NF

C - Die

Ausgangskapazität

2.31

NF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

1.05

NF

Q g

Gate-Ladung

V CE =400V,I C = 450 A, V GE =-8...+15V

3.29

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C = 450 A, R g = 2,4Ω,

V GE =-8V/+15V, L s =24nH,

t Vj =25 O C

191

NS

t R

Aufstiegszeit

83

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

543

NS

t F

Herbstzeit

158

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

16.8

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

20.5

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C = 450 A, R g = 2,4Ω,

V GE =-8V/+15V, L s =24nH,

t Vj =150 O C

207

NS

t R

Aufstiegszeit

96

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

594

NS

t F

Herbstzeit

190

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

22.5

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

24.5

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C = 450 A, R g = 2,4Ω,

V GE =-8V/+15V, L s =24nH,

t Vj =175 O C

208

NS

t R

Aufstiegszeit

103

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

613

NS

t F

Herbstzeit

190

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

26.7

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

26.9

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤6μs,V GE =15V,

4800

Ein

t Vj =25 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F = 450 A, V GE =0V,T Vj =2 5O C

1.40

1.65

V

I F = 450 A, V GE =0V,T Vj =150 O C

1.35

I F = 450 A, V GE =0V,T Vj =175 O C

1.30

I F =950A,V GE =0V,T Vj =2 5O C

1.75

I F =950A,V GE =0V,T Vj =175 O C

1.75

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I F = 450 A,

-di/dt=5520A/μs,V GE = 8V L s =24 nH ,t Vj =25 O C

16.4

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

222

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

4.50

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I F = 450 A,

-di/dt=4810A/μs,V GE = 8V L s =24 nH ,t Vj =150 O C

32.2

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

283

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

8.19

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I F = 450 A,

-di/dt=4630A/μs,V GE = 8V L s =24 nH ,t Vj =175 O C

36.3

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

292

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

9.03

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von R 100

t C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

8

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.75

mΩ

△ P

△ V/ △ t=10,0 dm 3/Min ,t F = 75 O C

64

Mbar

P

Maximaler Kühldruck Schönheit

t Ausfallplatte < 40 O C

t Ausfallplatte > 40 O C

(relativer Druck)

2.5 2.0

Stange

R Die

Junction -Um -Kühlung Flüssigkeit (proIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D (in der Regel △ V/ △ t=10,0 dm 3/Min ,t F = 75 O C

0.098 0.140

0.114 0.160

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

g

Gewicht von Modul

750

g