GD900SGF120A3SN,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C @ T C =100 O C

1466

900

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

1800

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T Vj =175 O C

5.34

kW

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter

1200

V

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

900

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

1800

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

O C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t= 1 Minute

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =900A,V GE =15V, t Vj =25 O C

2.00

2.45

V

I C =900A,V GE =15V, t Vj =125 O C

2.50

I C =900A,V GE =15V, t Vj =150 O C

2.65

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =32.0 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C

400

NA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

1.44

Ω

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =900A, R Gon =1Ω, R Goff =2Ω, Ls=50nH,

V GE =-10/+15V, t Vj =25 O C

520

NS

t R

Aufstiegszeit

127

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

493

NS

t F

Herbstzeit

72

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

76.0

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

85.0

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =900A, R Gon =1Ω, R Goff =2Ω, Ls=50nH,

V GE =-10/+15V, t Vj =125 O C

580

NS

t R

Aufstiegszeit

168

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

644

NS

t F

Herbstzeit

89

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

127

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

98.5

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =900A, R Gon =1Ω, R Goff =2Ω, Ls=50nH,

V GE =-10/+15V, t Vj =150 O C

629

NS

t R

Aufstiegszeit

176

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

676

NS

t F

Herbstzeit

96

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

134

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

99.0

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F =900A,V GE =0V,T Vj =2 5O C

1.95

2.40

V

I F =900A,V GE =0V,T Vj =125 O C

2.00

I F =900A,V GE =0V,T Vj =150 O C

2.05

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=7100A/μs, Ls=50nH, V GE =-10V,

t Vj =25 O C

80

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

486

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

35.0

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=5180A/μs, Ls=50nH, V GE =-10V,

t Vj =125 O C

153

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

510

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

64.0

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4990A/μs, Ls=50nH, V GE =-10V,

t Vj =150 O C

158

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

513

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

74.0

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

12

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.19

mΩ

R thJC

Junction -Um -Fall (proIGBT ) Junction-to-Case (pro Di ode)

28.1 44.1

K/kW

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

9.82 15.4 6.0

K/kW

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M4 Anschlussdrehmoment, Schraube M8 Montagedrehmoment, Schraube M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

g

Gewicht von Modul

1050

g