1200 V

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

Ichc

Kollektorstrom  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

1522

900

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp=1ms

1800

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe  @ Tj=175oc

5.24

kW

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

vRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

v

Ichf

Diode kontinuierlich vorwärtsrent

900

a)

Ichfm

Maximaler Vorwärtsstrom der Diode  tp=1ms

1800

a)

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

oc

t- Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

oc

tstg

LagertemperaturBereich

-40 bis +125

oc

vIso

Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min

4000

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=900A,VGE=15V, tj=25oc

1.70

2.15

v

Ichc=900A,VGE=15V, tj=125oc

1.95

Ichc=900A,VGE=15V, tj=150oc

2.00

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc=22.5- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tj=25oc

5.2

6.0

6.8

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,

tj=25oc

1.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc

400

- Nein.

RGint

Interner Gate-Widerstand

0.63

Oh

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

93.2

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

2.61

NF

QG

Gate-Ladung

vGE=-15 - Ich...+15V

6.99

μC

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=900A,- Ich weiß.RG=1.6Ω,

vGE=±15V, tj=25oc

214

NS

tR

Aufstiegszeit

150

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

721

NS

tf

Herbstzeit

206

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

76

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

128

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=900A,- Ich weiß.RG=1.6Ω,

vGE=±15V, tj=125oc

235

NS

tR

Aufstiegszeit

161

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

824

NS

tf

Herbstzeit

412

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

107

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

165

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=900A,- Ich weiß.RG=1.6Ω,

vGE=±15V, tj=150oc

235

NS

tR

Aufstiegszeit

161

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

876

NS

tf

Herbstzeit

464

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

112

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

180

m

IchSc

SC-Daten

tp≤ 10 μs, VGE=15V,

tj=150oC,VCc=900V, vCEM≤ 1200 V

3600

a)

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=900A,VGE=0V,Tj=25oc

1.90

2.25

v

Ichf=900A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.85

Ichf=900A,VGE=0V,Tj= 150oc

1.80

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=600V,If=900A,

-di/dt=4800A/μs,VGE=-15V tj=25oc

86

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

475

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

36.1

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=600V,If=900A,

-di/dt=4800A/μs,VGE=-15V tj= 125oc

143

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

618

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

71.3

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vR=600V,If=900A,

-di/dt=4800A/μs,VGE=-15V tj= 150oc

185

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

665

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

75.1

m

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

R25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

ΔR/R

Abweichung von R100

tc= 100 oC, R100=493.3Ω

-5

5

%

p25

Leistung

Ablösung

20.0

m

b25/50

B-Wert

R2=R25exp[B25/50(1/T2- Ich weiß.

1/(298.15K))]

3375

k

b25/80

B-Wert

R2=R25exp[B25/80(1/T2- Ich weiß.

1/(298.15K))]

3411

k

b25/100

B-Wert

R2=R25exp[B25/100(1/T2- Ich weiß.

1/(298.15K))]

3433

k

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

Ich...c

Streuinduktivität

18

- Nein.

RCC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.30

mΩ

RthJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel

28.6

51.9

K/kW

RthCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (proIGBT)

Gehäuse zu Kühlkörper (per Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (proModul)

14.0

25.3

4.5

K/kW

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M4 Endgeräteanschluss Drehmoment, Schraube M8 Montagedrehmoment, Schraube M5

1.8

8.0

3.0

2.1

10

6.0

n.m.

G

Gewicht von Modul

825

G