GD820HFA75N6HY

Einführung

Kurze Einführung

IGBT-Modul ,von Stärken . 820V 750A.

Funktionen

Niedriges VCE(sat) Trench IGBT-Technologie
Niedrige Schaltverluste
6 μs Kurzschlussfähigkeit
VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
Maximale Knotentemperatur 175 ℃
Niedrige Induktivitätsgehäuse
Schnelle & sanfte Rückwärtsrekuperation antiparallele FWD
Isolierte Kupferpinfin-Blechplatte mit DBC-Technologie

Typische Anwendungen

Automobilanwendung
Hybrid- und Elektrofahrzeuge
Wechselrichter für Motorantrieb

Absolut Maximum Kennwerte t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

IGBT

Symbol	Beschreibung	Werte	Einheit
V CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	750	V
V GES	Spannung des Tor-Emitters	±20	V
I CN	Implementierter Sammler Cu rrent	820	Ein
I C	Kollektorstrom @ T F = 95 O C T Vj =175 O C	450	Ein
I CRM	Repetitive Höhepunkt Sammler Aktuell tp Begrenzt von t vjop	1640	Ein
P D	Maximale Leistungsauslagerung ation @ t F =65 O C t Vj =175 O C	909	W

Diode

Symbol	Beschreibung	Werte	Einheit
V RRM	Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter	750	V
I FN	Implementierter Sammler Cu rrent	820	Ein
I F	Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent	450	Ein
I FRM	Repetitive Höhepunkt Vorwärts Aktuell tp Begrenzt von t vjop	1640	Ein

Modul

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
t vjmax	Maximale Junction-Temperatur	175	O C
t vjop	Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich	-40 bis +150	O C
t stg	Lagerungstemperaturbereich	-40 bis +125	O C
V ISO	Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V
D Kriechen	Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal	7.3 7.3	mm
D klar	Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal	7.3 4.0	mm

IGBT Eigenschaften t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C =680A,V GE =15V, t Vj =25 O C		1.25	1.50	V
		I C =680A,V GE =15V, t Vj =150 O C		1.35
		I C =680A,V GE =15V, t Vj =175 O C		1.40
		I C =820A,V GE =15V, t Vj =25 O C		1.30
		I C =820A,V GE =15V, t Vj =175 O C		1.50
V GE (th )	Gate-Emitter-Schwelle Spannung	I C =12,9 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C	5.5	6.5	7.0	V
I CES	Sammler Schnitt -aus Aktuell	V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C			1.0	mA
I GES	Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell	V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C			400	NA
R Gint	Interner Gate-Widerstand			1.0		Ω
C ies	Eingangskapazität	V CE =50V, f=100kHz, V GE =0V		72.3		NF
C - Die	Ausgangskapazität			1.51		NF
C res	Rückübertragungs- Kapazität			0.32		NF
Q g	Gate-Ladung	V CE =400V, I C =680A, V GE =-10…+15V		4.10		μC
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =400V,I C = 450 A, R g = 2,4Ω, L s =20 nH ,V GE =-8V/+15V, t Vj =25 O C		483		NS
t R	Aufstiegszeit			60		NS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			664		NS
t F	Herbstzeit			67		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			16.3		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			17.4		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =400V,I C = 450 A, R g = 2,4Ω, L s =20 nH ,V GE =-8V/+15V, t Vj =150 O C		507		NS
t R	Aufstiegszeit			76		NS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			750		NS
t F	Herbstzeit			125		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			26.3		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			22.1		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =400V,I C = 450 A, R g = 2,4Ω, L s =20 nH ,V GE =-8V/+15V, t Vj =175 O C		509		NS
t R	Aufstiegszeit			79		NS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			764		NS
t F	Herbstzeit			139		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			27.6		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			23.0		mJ
I SC	SC-Daten	t P ≤3μs, V GE =15V, t j =175 O C,V CC =450V, V CEM ≤750V		3300		Ein

Diode Eigenschaften t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V F	Diodenvorwärts Spannung	I F =680A,V GE =0V,T Vj =2 5O C		1.60	2.05	V
		I F =680A,V GE =0V,T Vj =150 O C		1.60
		I F =680A,V GE =0V,T Vj =175 O C		1.55
		I F =820A,V GE =0V,T Vj =2 5O C		1.70
		I F =820A,V GE =0V,T Vj =175 O C		1.65
Q R	Wiederhergestellte Ladung	V R =400V,I F = 450 A, -di/dt=8350A/μs,L s =20n H, V GE =-8V, t Vj =25 O C		12.4		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			273		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			3.45		mJ
Q R	Wiederhergestellte Ladung	V R =400V,I F = 450 A, -di/dt=6670A/μs,L s =20n H, V GE =-8V, t Vj =150 O C		27.7		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			319		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			6.51		mJ
Q R	Wiederhergestellte Ladung	V R =400V,I F = 450 A, -di/dt=6410A/μs,L s =20n H, V GE =-8V, t Vj =175 O C		31.8		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			334		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			7.26		mJ

PTC Eigenschaften t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
R	Nenn Widerstand	t C =0 O C t C =150 O C		1000 1573		Ω Ω
t cr	Temperaturkoeffizient nt			0.38		%/K
t Sch	Selbst Heizung	t C =0 O C I m =0,1...0,3mA		0.4		K/mW

Modul Eigenschaften t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
L CE	Streuinduktivität		5		nH
P	Maximaler Kühldruck Schönheit			2.5	Stange
R Die	Junction -Um -Kühlung Flüssigkeit (proIGBT )Verbindungsflüssigkeit zur Kühlung (pro Di) ode) △ V/ △ t=2,67 L/ Min ,t F =65 O C		0.105 0.157	0.121 0.181	K/W
m	Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M5	3.6 5.4		4.4 6.6	N.M
g	Gewicht von Modul		220		g