1200 V

Symbol

Beschreibung

GD800HFT120C3S

Einheiten

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

Ichc

Sammler-Strom @tc=25°C

@ Tc=80°C

1400

800

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp= 1m

1600

a)

Ichf

Diode kontinuierlich vorwärtsrent

@ Tc=80°C

800

a)

Ichfm

Maximaler Vorwärtsstrom der Diode  tp=1ms

1600

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe  @ Tj= 175°C

4.2

kW

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

°C

tstg

LagertemperaturBereich

-40 bis +125

°C

vIso

Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min

2500

v

Montage Drehmoment

Signalterminal-Schraube:M4

1.8 bis 2.1

Leistungsanschluss-Schraube:M8

8.0 bis 10

n.m.

Montageschraube:M6

4.25 bis 5.75

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

v(Br)CES

Kollektor-Emitter

Abbruchspannung

tj=25°C

1200

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,tj=25°C

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V, tj=25°C

400

- Nein.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc=32.0- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tj=25°C

5.0

5.8

6.5

v

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=800A,VGE=15V, tj=25°C

1.70

2.15

v

Ichc=800A,VGE=15V, tj=125°C

2.00

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=800A, RGon=3.3Ω,

RGoff=0.39Ω,

vGE=±15V,Tj=25°C

605

NS

tR

Aufstiegszeit

225

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

830

NS

tf

Herbstzeit

155

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

- Ich weiß.

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

- Ich weiß.

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic=800A, RGon=3.3Ω,

RGoff=0.39Ω,

vGE=±15V,Tj=125°C

670

NS

tR

Aufstiegszeit

220

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

960

NS

tf

Herbstzeit

175

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

161

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

124

m

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

57.7

NF

c- Die

Ausgangskapazität

3.02

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

2.62

NF

IchSc

SC-Daten

tp≤ 10 μs, VGE=15 v,

tj=125°C,vCc=900V, vCEM≤ 1200 V

3200

a)

RGint

Interner Gate-Widerstand

1.25

Oh

Ich...c

Streuinduktivität

20

- Nein.

RCC’+EE’

Modul Blei

Widerstand,

Anschluss zu Chip

0.18

mΩ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=800A

tj=25°C

1.65

2.10

v

tj=125°C

1.65

QR

Wiederhergestellt

Gebühr

Ichf=800A,

vR=600V,

RGon=0.9Ω,

vGE=-15V

tj=25°C

86

μC

tj=125°C

160

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

tj=25°C

560

a)

tj=125°C

720

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

tj=25°C

38.0

m

tj=125°C

70.0

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

RθJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

35.6

K/kW

RθJC

Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel

62.0

K/kW

Rθcss

Fall-zu-Senk (Leitfett-Anwendung)(Lügen)

6

K/kW

Gewicht

Gewicht- Das ist nicht wahr.Modul

1500

G