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GD800HFL170C3S

IGBT-Modul, 1700V 800A

Brand:
Stärken
  • Einführung
Einführung

Merkmale

  • Niedriges VCE(sat)  SPT+- Ich weiß.Technologie
  • 10μs Kurzschlussfähigkeit
  • VCE (Sat)mitpositivTemperaturKoeffizient
  • Höchsttemperatur der Verbindung 175oC
  • Niedrige Induktivitätsgehäuse
  • Schnelle & sanfte Rückwärtsrekuperation antiparallele FWD
  • Isolierte Kupferbasisplatte mit DBC-Technologie

typisch Anwendungen

  • Hochleistungswandler
  • Motorantriebe
  • Windturbinen

Absolut maximal Bewertungen tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt

- Ich weiß.

 

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

Ichc

Kollektorstrom  @ Tc=25oc

@ Tc=80oc

1050

800

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp=1ms

1600

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe  @ Tj=175oc

4.85

kW

Diode

 

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

vRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1700

v

Ichf

Diode kontinuierlich vorwärtsrent

800

a)

Ichfm

Maximaler Vorwärtsstrom der Diode  tp=1ms

1600

a)

Modul

 

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

oc

t- Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

oc

tstg

LagertemperaturBereich

-40 bis +125

oc

vIso

Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min

4000

v

- Ich weiß. Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

 

 

vCE(sat)

 

 

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=800A,VGE=15V, tj=25oc

 

2.50

2.95

 

 

v

Ichc=800A,VGE=15V, tj=125oc

 

3.00

 

Ichc=800A,VGE=15V, tj=150oc

 

3.10

 

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc=32.0- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tj=25oc

5.4

 

7.4

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,

tj=25oc

 

 

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc

 

 

400

- Nein.

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

 

54.0

 

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

 

1.84

 

NF

QG

Gate-Ladung

vGE=- 15…+15V

 

6.2

 

μC

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

 

 

vCc=900V,Ic=800A,- Ich weiß.RG= 1,5Ω,

vGE=±15V,tj=25oc

 

235

 

NS

tR

Aufstiegszeit

 

110

 

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

 

390

 

NS

tf

Herbstzeit

 

145

 

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

 

216

 

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

 

152

 

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

 

 

vCc=900V,Ic=800A,- Ich weiß.RG= 1,5Ω,

vGE=±15V, tj= 125oc

 

250

 

NS

tR

Aufstiegszeit

 

120

 

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

 

475

 

NS

tf

Herbstzeit

 

155

 

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

 

280

 

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

 

232

 

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

 

 

vCc=900V,Ic=800A,- Ich weiß.

RG= 1,5Ω,

vGE=±15V, tj= 150oc

 

254

 

NS

tR

Aufstiegszeit

 

125

 

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

 

500

 

NS

tf

Herbstzeit

 

160

 

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

 

312

 

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

 

256

 

m

 

IchSc

 

SC-Daten

tp≤ 10 μs, VGE=15V,

tj=150oC,VCc= 1000V,vCEM≤1700V

 

 

2480

 

 

a)

 

Diode Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

 

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=800A,VGE=0V, tj=25oc

 

1.80

2.25

 

v

Ichf=800A,VGE=0V, tj= 125oc

 

1.95

 

Ichf=800A,VGE=0V, tj= 150oc

 

1.90

 

QR

Wiederhergestellte Ladung

vCc=900V,If=800A,

-di/dt=8400A/μs,VGE=±15V, tj=25oc

 

232

 

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

 

720

 

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

 

134

 

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vCc=900V,If=800A,

-di/dt=8400A/μs,VGE=±15V, tj= 125oc

 

360

 

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

 

840

 

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

 

222

 

m

QR

Wiederhergestellte Ladung

vCc=900V,If=800A,

-di/dt=8400A/μs,VGE=±15V, tj= 150oc

 

424

 

μC

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

 

880

 

a)

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

 

259

 

m

Modul Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheit

Ich...c

Streuinduktivität

 

20

 

- Nein.

RCC’+EE’

ModulleiterwiderstandTerminal an Chip

 

0.37

 

RθJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel

 

 

30.9

49.0

K/kW

Rθcss

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

Gehäuse-Senk (pro Diode)

 

19.6

31.0

 

K/kW

Rθcss

Gehäuse zu Sink

 

6.0

 

K/kW

 

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M4 Endgeräteanschluss Drehmoment, Schraube M8 Montagedrehmoment, Schraube m6

1.8

8.0

4.25

 

2.1

10

5.75

 

n.m.

G

Gewicht von Modul

 

1500

 

G

 

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