Merkmale
typisch Anwendungen
Absolut maximal Bewertungen tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
- Ich weiß.
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
vCES |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
1700 |
v |
vGES |
Spannung des Tor-Emitters |
± 20 |
v |
Ichc |
Kollektorstrom @ Tc=25oc @ Tc=80oc |
1050 800 |
a) |
Ichcm |
Pulsierter Kollektorstrom tp=1ms |
1600 |
a) |
pd |
Maximale Leistungsabgabe @ Tj=175oc |
4.85 |
kW |
Diode
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
vRRM |
Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung |
1700 |
v |
Ichf |
Diode kontinuierlich vorwärtsrent |
800 |
a) |
Ichfm |
Maximaler Vorwärtsstrom der Diode tp=1ms |
1600 |
a) |
Modul
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
tjmax |
Maximale Junction-Temperatur |
175 |
oc |
t- Was ist los? |
Betriebstemperatur der Sperrschicht |
-40 bis +150 |
oc |
tstg |
LagertemperaturBereich |
-40 bis +125 |
oc |
vIso |
Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min |
4000 |
v |
- Ich weiß. Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheit |
vCE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung |
Ichc=800A,VGE=15V, tj=25oc |
|
2.50 |
2.95 |
v |
Ichc=800A,VGE=15V, tj=125oc |
|
3.00 |
|
|||
Ichc=800A,VGE=15V, tj=150oc |
|
3.10 |
|
|||
vGE(Die) |
Gate-Emitter-Schwelle Spannung |
Ichc=32.0- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tj=25oc |
5.4 |
|
7.4 |
v |
IchCES |
Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom |
vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V, tj=25oc |
|
|
5.0 |
- Ich weiß. |
IchGES |
Gate-Emitter-Leckstrom Strom |
vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V,tj=25oc |
|
|
400 |
- Nein. |
c- Nein. |
Eingangskapazität |
vc=25V,f=1Mhz, vGE=0V |
|
54.0 |
|
NF |
cAufnahme |
Rückübertragungs- Kapazität |
|
1.84 |
|
NF |
|
QG |
Gate-Ladung |
vGE=- 15…+15V |
|
6.2 |
|
μC |
td(auf) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=900V,Ic=800A,- Ich weiß.RG= 1,5Ω, vGE=±15V,tj=25oc |
|
235 |
|
NS |
tR |
Aufstiegszeit |
|
110 |
|
NS |
|
td(aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
390 |
|
NS |
|
tf |
Herbstzeit |
|
145 |
|
NS |
|
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
|
216 |
|
m |
|
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
152 |
|
m |
|
td(auf) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=900V,Ic=800A,- Ich weiß.RG= 1,5Ω, vGE=±15V, tj= 125oc |
|
250 |
|
NS |
tR |
Aufstiegszeit |
|
120 |
|
NS |
|
td(aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
475 |
|
NS |
|
tf |
Herbstzeit |
|
155 |
|
NS |
|
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
|
280 |
|
m |
|
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
232 |
|
m |
|
td(auf) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
vCc=900V,Ic=800A,- Ich weiß. RG= 1,5Ω, vGE=±15V, tj= 150oc |
|
254 |
|
NS |
tR |
Aufstiegszeit |
|
125 |
|
NS |
|
td(aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
500 |
|
NS |
|
tf |
Herbstzeit |
|
160 |
|
NS |
|
eauf |
Einschalten Wechseln Verlust |
|
312 |
|
m |
|
eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
256 |
|
m |
|
IchSc |
SC-Daten |
tp≤ 10 μs, VGE=15V, tj=150oC,VCc= 1000V,vCEM≤1700V |
|
2480 |
|
a) |
Diode Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheit |
vf |
Diodenvorwärts Spannung |
Ichf=800A,VGE=0V, tj=25oc |
|
1.80 |
2.25 |
v |
Ichf=800A,VGE=0V, tj= 125oc |
|
1.95 |
|
|||
Ichf=800A,VGE=0V, tj= 150oc |
|
1.90 |
|
|||
QR |
Wiederhergestellte Ladung |
vCc=900V,If=800A, -di/dt=8400A/μs,VGE=±15V, tj=25oc |
|
232 |
|
μC |
IchRm |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
720 |
|
a) |
|
eErklärungen |
RückwärtswiederherstellungEnergie |
|
134 |
|
m |
|
QR |
Wiederhergestellte Ladung |
vCc=900V,If=800A, -di/dt=8400A/μs,VGE=±15V, tj= 125oc |
|
360 |
|
μC |
IchRm |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
840 |
|
a) |
|
eErklärungen |
RückwärtswiederherstellungEnergie |
|
222 |
|
m |
|
QR |
Wiederhergestellte Ladung |
vCc=900V,If=800A, -di/dt=8400A/μs,VGE=±15V, tj= 150oc |
|
424 |
|
μC |
IchRm |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
880 |
|
a) |
|
eErklärungen |
RückwärtswiederherstellungEnergie |
|
259 |
|
m |
Modul Eigenschaften tc=25oc es sei denn Ansonsten festgestellt
Symbol |
Parameter |
Min. |
- Das ist typisch. |
- Maximal. |
Einheit |
Ich...c |
Streuinduktivität |
|
20 |
|
- Nein. |
RCC’+EE’ |
ModulleiterwiderstandTerminal an Chip |
|
0.37 |
|
mΩ |
RθJC |
Junction-to-Case (pro IGBT) Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel |
|
|
30.9 49.0 |
K/kW |
Rθcss |
Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. Gehäuse-Senk (pro Diode) |
|
19.6 31.0 |
|
K/kW |
Rθcss |
Gehäuse zu Sink |
|
6.0 |
|
K/kW |
m |
Anschlussdrehmoment, Schraube M4 Endgeräteanschluss Drehmoment, Schraube M8 Montagedrehmoment, Schraube m6 |
1.8 8.0 4.25 |
|
2.1 10 5.75 |
n.m. |
G |
Gewicht von Modul |
|
1500 |
|
G |
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