IGBT-Modul 1200V

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

v CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

v GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

I C

Kollektorstrom @ T C =100 O C

800

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

1600

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T Vj =175 O C

4687

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

v RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter

1200

v

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

900

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

1800

Ein

I FSM

Überspannungs-Vorwärtsstrom t P =10ms @ T Vj =12 5O C @ T Vj =175 O C

2392

2448

Ein

I 2t

I 2t- Wert ,t P =10 ms @ t Vj =125 O C @ T Vj =175 O C

28608

29964

Ein 2s

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

O C

v ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

v

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

v CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =800A,V GE =15V, t Vj =25 O C

1.40

1.85

v

I C =800A,V GE =15V, t Vj =125 O C

1.60

I C =800A,V GE =15V, t Vj =175 O C

1.60

v GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =24.0 mA ,v CE = v GE , t Vj =25 O C

5.5

6.3

7.0

v

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

v CE = v CES ,v GE =0V, t Vj =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

v GE = v GES ,v CE =0V, t Vj =25 O C

400

NA

r Gint

Interner Gate-Widerst and

0.5

Ω

C ies

Eingangskapazität

v CE =25V,f=100kHz, v GE =0V

28.4

NF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.15

NF

Q g

Gate-Ladung

v GE =-15…+15V

2.05

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =800A, r g =0.5Ω, L s =40nH, v GE =-8V/+15V,

t Vj =25 O C

168

NS

t r

Aufstiegszeit

78

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

428

NS

t F

Herbstzeit

123

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

43.4

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

77.0

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =800A,

r g =0.5Ω, L s =40nH,

v GE =-8V/+15V,

t Vj =125 O C

172

NS

t r

Aufstiegszeit

84

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

502

NS

t F

Herbstzeit

206

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

86.3

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

99.1

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

v CC =600V,I C =800A,

r g =0.5Ω, L s =40nH,

v GE =-8V/+15V,

t Vj =175 O C

174

NS

t r

Aufstiegszeit

90

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

531

NS

t F

Herbstzeit

257

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

99.8

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

105

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤8μs, v GE =15V,

t Vj =150 O C,

v CC =800V, v CEM ≤ 1200V

2600

Ein

t P ≤6μs, v GE =15V,

t Vj =175 O C,

v CC =800V, v CEM ≤ 1200V

2500

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

v F

Diodenvorwärts Spannung

I F =900A,V GE =0V,T Vj =2 5O C

1.60

2.00

v

I F =900A,V GE =0V,T Vj =125 O C

1.60

I F =900A,V GE =0V,T Vj =175 O C

1.50

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V,I F =800A,

-di/dt=7778A/μs,V GE =-8V, L s =40 nH ,t Vj =25 O C

47.7

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

400

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

13.6

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V,I F =800A,

-di/dt=7017A/μs,V GE =-8V, L s =40 nH ,t Vj =125 O C

82.7

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

401

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

26.5

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

v r =600V,I F =800A,

-di/dt=6380A/μs,V GE =-8V, L s =40 nH ,t Vj =175 O C

110

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

413

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

34.8

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

r 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von r 100

t C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

r 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

r 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

r 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K