GD800HFA120C2S_B20, IGBT-Modul, STARPOWER

Einführung

Kurze Einführung

IGBT-Modul ,von Stärken . 1200V 800A.

Funktionen

Niedriges VCE(sat) Trench IGBT-Technologie
VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
Höchsttemperatur der Verbindung 175oC
Niedrige Induktivitätsgehäuse
Schnelle & sanfte Rückwärtsrekuperation antiparallele FWD
Isolierte Kupferbasisplatte mit DBC-Technologie

Typische Anwendungen

Wechselrichter für Motorantrieb
mit einer Leistung von mehr als 50 W
Ununterbrochene Stromversorgung

Absolut Maximum Kennwerte t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

IGBT

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	1200	V
V GES	Spannung des Tor-Emitters Übergangsspannung des Tor-Emittors	±20 ±30	V
I C	Kollektorstrom @ T C =25 O C @ T C = 95 O C	1280 800	Ein
I CM	Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms	1600	Ein
P D	Maximalleistung Ablösung @ T Vj =175 O C	3191	W

Diode

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V RRM	Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter	1200	V
I F	Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom ent	800	Ein
I FM	Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms	1600	Ein

Modul

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
t vjmax	Maximale Junction-Temperatur	175	O C
t vjop	Betriebstemperatur der Sperrschicht	-40 bis +175	O C
t stg	Lagerungstemperaturbereich	-40 bis +125	O C
V ISO	Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C =800A,V GE =15V, t Vj =25 O C		1.30	1.75	V
		I C =800A,V GE =15V, t Vj =125 O C		1.45
		I C =800A,V GE =15V, t Vj =150 O C		1.50
		I C =800A,V GE =15V, t Vj =175 O C		1.55
V GE (th )	Gate-Emitter-Schwelle Spannung	I C =32.0 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C	5.5	6.1	7.0	V
I CES	Sammler Schnitt -aus Aktuell	V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C			1.0	mA
I GES	Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell	V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C			400	NA
R Gint	Interner Gate-Widerstand			0.38		Ω
C ies	Eingangskapazität	V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V		156		NF
C res	Rückübertragungs- Kapazität	V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V		1.10		NF
Q g	Gate-Ladung	V GE =-8...+15V		10.3		μC
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =600V,I C =800A, R g =1.2Ω, V GE =-8V/+15V, t Vj =25 O C		338		NS
t R	Aufstiegszeit			174		NS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			1020		NS
t F	Herbstzeit			100		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			65.2		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			88.8		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =600V,I C =800A, R g =1.2Ω, V GE =-8V/+15V, t Vj =125 O C		398		NS
t R	Aufstiegszeit			203		NS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			1140		NS
t F	Herbstzeit			183		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			96.6		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			109		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =600V,I C =800A, R g =1.2Ω, V GE =-8V/+15V, t Vj =150 O C		413		NS
t R	Aufstiegszeit			213		NS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			1140		NS
t F	Herbstzeit			195		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			105		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			113		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =600V,I C =800A, R g =1.2Ω, V GE =-8V/+15V, t Vj =175 O C		419		NS
t R	Aufstiegszeit			223		NS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			1142		NS
t F	Herbstzeit			205		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			110		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			115		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust
I SC	SC-Daten	t P ≤8μs, V GE =15V, t Vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V		3300		Ein
I SC	SC-Daten	t P ≤6μs, V GE =15V, t Vj =175 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V		3000		Ein

Diode Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V F	Diodenvorwärts Spannung	I F =800A,V GE =0V,T Vj =2 5O C		1.85	2.30	V
		I F =800A,V GE =0V,T Vj =125 O C		1.85
		I F =800A,V GE =0V,T Vj =150 O C		1.85
		I F =800A,V GE =0V,T Vj =175 O C		1.85
Q R	Wiederhergestellte Ladung	V R =600V,I F =800A, -di/dt=5510A/μs,V GE =-8V, t Vj =25 O C		28.6		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			311		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			13.9		mJ
Q R	Wiederhergestellte Ladung	V R =600V,I F =800A, -di/dt=4990A/μs,V GE =-8V, t Vj =125 O C		56.8		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			378		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			23.7		mJ
Q R	Wiederhergestellte Ladung	V R =600V,I F =800A, -di/dt=4860A/μs,V GE =-8V, t Vj =150 O C		66.3		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			395		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			26.7		mJ
Q R	Wiederhergestellte Ladung	V R =600V,I F =800A, -di/dt=4790A/μs,V GE =-8V, t Vj =175 O C		72.1		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			403		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			28.6		mJ

Modul Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
L CE	Streuinduktivität		20		nH
R CC’+EE’	Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip		0.42		mΩ
R thJC	Junction -Um -Fall (proIGBT ) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel			0.047 0.083	K/W
R thCH	Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch		0.031 0.055 0.010		K/W
m	Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
g	Gewicht von Modul		320		g