GD75PFX170C6SG, IGBT-Modul, STARPOWER

Einführung

Kurze Einführung

IGBT-Modul ,von Stärken . 1700V 75A.

Funktionen

Niedriges VCE(sat) Trench IGBT-Technologie
10μs Kurzschlussfähigkeit
VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
Maximale Knotentemperatur 175 ℃
Niedrige Induktivitätsgehäuse
Schnelle & sanfte Rückwärtsrekuperation antiparallele FWD
Isolierte Kupferbasisplatte mit DBC-Technologie

Typische Anwendungen

Wechselrichter für Motorantrieb
mit einer Leistung von mehr als 50 W
Ununterbrochene Stromversorgung

Absolut Maximum Kennwerte t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

IGBT-Wechselrichter

Symbol	Beschreibung	Werte	Einheit
V CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	1700	V
V GES	Spannung des Tor-Emitters	±20	V
I C	Kollektorstrom @ T C =25 O C @ T C =100 O C	139 75	Ein
I CM	Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms	150	Ein
P D	Maximalleistung Ablösung @ T Vj =175 O C	559	W

Diodenumrichter

Symbol	Beschreibung	Werte	Einheit
V RRM	Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter	1700	V
I F	Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent	75	Ein
I FM	Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms	150	Ein

Dioden-Rechteckwellenrichter

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V RRM	Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter	2000	V
I O	Durchschnittlicher Ausgangsstrom 5 0Hz/60Hz, Sinuswelle	75	Ein
I FSM	Überspannungs-Vorwärtsstrom t P =10ms @ T Vj = 25O C @ T Vj =150 O C	1440 1206	Ein
I 2t	I 2t-Wert,t P =10ms @ T Vj =25 O C @ T Vj =150 O C	10368 7272	Ein 2s

Modul

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
t vjmax	Maximale Junction-Temperatur (Wechselrichter) Maximale Wicklungstemperatur (Rechteckwellenrichter)	175 150	O C
t vjop	Betriebstemperatur der Sperrschicht	-40 bis +150	O C
t stg	Lagerungstemperaturbereich	-40 bis +125	O C
V ISO	Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT -Wechselrichter Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C = 75A,V GE =15V, t Vj =25 O C		1.85	2.20	V
		I C = 75A,V GE =15V, t Vj =125 O C		2.25
		I C = 75A,V GE =15V, t Vj =150 O C		2.35
V GE (th )	Gate-Emitter-Schwelle Spannung	I C =3.0 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I CES	Sammler Schnitt -aus Aktuell	V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C			5.0	mA
I GES	Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell	V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C			400	NA
R Gint	Interner Gate-Widerstand			8.5		Ω
C ies	Eingangskapazität	V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V		9.03		NF
C res	Rückübertragungs- Kapazität	V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V		0.22		NF
Q g	Gate-Ladung	V GE =-15 ...+15V		0.71		μC
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =900V,I C = 75A, R g =6,8Ω,V GE =±15V, L s =46 nH ,t Vj =25 O C		236		NS
t R	Aufstiegszeit			42		NS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			356		NS
t F	Herbstzeit			363		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			17.3		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			11.7		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =900V,I C = 75A, R g =6,8Ω,V GE =±15V, L s =46 nH ,t Vj =125 O C		252		NS
t R	Aufstiegszeit			48		NS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			420		NS
t F	Herbstzeit			485		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			27.1		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			16.6		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =900V,I C = 75A, R g =6,8Ω,V GE =±15V, L s =46 nH ,t Vj =150 O C		275		NS
t R	Aufstiegszeit			50		NS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			432		NS
t F	Herbstzeit			524		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			27.9		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			17.7		mJ
I SC	SC-Daten	t P ≤10μs, V GE =15V, t Vj =150 O C ,V CC =1000V , V CEM ≤1700V		300		Ein

Diode -Wechselrichter Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V F	Diodenvorwärts Spannung	I F = 75A,V GE =0V,T Vj =2 5O C		1.80	2.25	V
		I F = 75A,V GE =0V,T Vj =12 5O C		1.90
		I F = 75A,V GE =0V,T Vj =15 0O C		1.95
Q R	Wiederhergestellte Ladung	V R =900V,I F = 75A, -di/dt=1290A/μs,V GE =-15V L s =46 nH ,t Vj =25 O C		10.3		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			84		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			7.44		mJ
Q R	Wiederhergestellte Ladung	V R =900V,I F = 75A, -di/dt=1100A/μs,V GE =- 15V L s =46 nH ,t Vj =125 O C		20.5		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			87		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			16.1		mJ
Q R	Wiederhergestellte Ladung	V R =900V,I F = 75A, -di/dt=1060A/μs,V GE =-15V L s =46 nH ,t Vj =150 O C		22.5		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			97		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			19.2		mJ

Diode -Gleichrichter Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V F	Diodenvorwärts Spannung	I C = 75A, t Vj =150 O C		0.95		V
I R	Rückstrom	t Vj =150 O C ,V R =2000V			3.0	mA

NTC Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
R 25	Nennwiderstand			5.0		kΩ
∆R/R	Abweichung von R 100	t C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Leistung Abgabe				20.0	mW
B 25/50	B-Wert	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-Wert	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-Wert	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modul Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
R thJC	Junction -Um -Fall (proIGBT -Wechselrichter ) Verbindungshalter-zu-Gehäuse (pro DIODE-Wandler er) Gehäuse-Gehäuse (pro Diode-Rektif zier)			0.268 0.481 0.289	K/W
R thCH	Fall -Um -Heizkessel (proIGBT -Wechselrichter )Gehäuse-Wärmeleiter (pro Diode-i nverter) Gehäuse-zu-Wärmeableiter (pro Diode-re ktifier) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)		0.106 0.190 0.114 0.009		K/W
m	Montagedrehmoment, Schraube: M5	3.0		6.0	N.M
g	Gewicht von Modul		300		g