GD75HFX170C1S,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C @ T C =100 O C

136

75

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

150

Ein

P D

Maximum Leistung Abgabe @ t Vj =175 O C

539

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter

1700

V

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

75

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

150

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C = 75A,V GE =15V, t Vj =25 O C

1.85

2.20

V

I C = 75A,V GE =15V, t Vj =125 O C

2.25

I C = 75A,V GE =15V, t Vj =150 O C

2.35

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =3.0 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C

400

NA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

8.5

Ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

9.03

NF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.22

NF

Q g

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

0.71

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C = 75A, R g =6,8Ω,V GE =±15V, L.S. =60 nH ,t Vj =25 O C

237

NS

t R

Aufstiegszeit

59

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

314

NS

t F

Herbstzeit

361

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

25.0

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

9.5

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C = 75A, R g =6,8Ω,V GE =±15V, L.S. =60 nH ,t Vj =125 O C

254

NS

t R

Aufstiegszeit

70

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

383

NS

t F

Herbstzeit

524

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

33.3

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

15.1

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C = 75A, R g =6,8Ω,V GE =±15V, L.S. =60 nH ,t Vj =150 O C

257

NS

t R

Aufstiegszeit

75

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

396

NS

t F

Herbstzeit

588

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

36.9

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

16.6

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

t Vj =150 O C ,V CC =1000V

V CEM ≤1700V

300

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F = 75A,V GE =0V,T Vj =2 5O C

1.80

2.25

V

I F = 75A,V GE =0V,T Vj =12 5O C

1.90

I F = 75A,V GE =0V,T Vj =15 0O C

1.95

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F = 75A,

-di/dt=700A/μs,V GE =-15V L.S. =60 nH ,t Vj =25 O C

16.4

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

58

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

7.2

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F = 75A,

-di/dt=600A/μs,V GE =-15V L.S. =60 nH ,t Vj =125 O C

30.8

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

64

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

15.8

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F = 75A,

-di/dt=600A/μs,V GE =-15V L.S. =60 nH ,t Vj =150 O C

31.4

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

64

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

18.2

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

30

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.65

mΩ

R thJC

Junction -Um -Fall (proIGBT ) Junction-to-Case (pro Di ode)

0.278 0.467

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.160 0.268 0.050

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

g

Gewicht von Modul

150

g