GD750HFA120C6S,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =100 O C

750

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

1500

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T Vj =175 O C

3125

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter

1200

V

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

900

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

1500

Ein

I FSM

Überspannungs-Vorwärtsstrom t P =10ms @ T Vj = 25O C @ T Vj =150 O C

3104

2472

Ein

I 2t

I 2t- Wert ,t P =10 ms @ t Vj =25 O C @ T Vj =150 O C

48174

30554

Ein 2s

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

O C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =750A,V GE =15V, t Vj =25 O C

1.35

1.85

V

I C =750A,V GE =15V, t Vj =125 O C

1.55

I C =750A,V GE =15V, t Vj =175 O C

1.55

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =24.0 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C

5.5

6.3

7.0

V

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C

400

NA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

0.5

Ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

85.2

NF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.45

NF

Q g

Gate-Ladung

V GE =-15…+15V

6.15

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =750A,

R g =0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

L s =40 nH ,t Vj =25 O C

238

NS

t R

Aufstiegszeit

76

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

622

NS

t F

Herbstzeit

74

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

68.0

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

52.8

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =750A, R g =0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

L s =40 nH ,t Vj =125 O C

266

NS

t R

Aufstiegszeit

89

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

685

NS

t F

Herbstzeit

139

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

88.9

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

67.4

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =750A, R g =0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

L s =40 nH ,t Vj =175 O C

280

NS

t R

Aufstiegszeit

95

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

715

NS

t F

Herbstzeit

166

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

102

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

72.7

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤8μs, V GE =15V,

t Vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

2500

Ein

t P ≤6μs, V GE =15V,

t Vj =175 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

2400

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F =750A,V GE =0V,T Vj =2 5O C

1.60

2.05

V

I F =750A,V GE =0V,T Vj =125 O C

1.65

I F =750A,V GE =0V,T Vj =175 O C

1.65

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =750A,

-di/dt=6500A/μs,V GE =-8V, L s =40 nH ,t Vj =25 O C

79.7

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

369

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

23.3

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =750A,

-di/dt=5600A/μs,V GE =-8V, L s =40 nH ,t Vj =125 O C

120

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

400

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

39.5

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =750A,

-di/dt=5200A/μs,V GE =-8V, L s =40 nH ,t Vj =175 O C

151

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

423

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

49.7

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von R 100

t C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.80

mΩ

R thJC

Junction -Um -Fall (proIGBT ) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.048 0.088

K/W

R thCH

Fall -Um -Heizkessel (proIGBT )Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.028 0.051 0.009

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

g

Gewicht von Modul

350

g