GD720HTA120P6HLT, IGBT-Modul, STARPOWER

Einführung

Kurze Einführung

IGBT-Modul ,von Stärken . 1200V 720A.

Funktionen

Niedriges VCE(sat) Trench IGBT-Technologie
Niedrige Schaltverluste
4μs Kurzschlussfähigkeit
VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
Höchsttemperatur der Verbindung 175oC
Niedrige Induktivitätsgehäuse
Schnelle & sanfte Rückwärtsrekuperation antiparallele FWD
Isolierte Kupfer-Pinfin-Bodenplatte mit Si3N4AMB-Technologie

Typische Anwendungen

Automobilanwendung
Hybrid- und Elektrofahrzeuge
Wechselrichter für Motorantrieb

Absolut Maximum Kennwerte t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

IGBT

Symbol	Beschreibung	Werte	Einheit
V CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	1200	V
V GES	Spannung des Tor-Emitters	±20	V
I CN	Implementierter Sammler Cu rrent	720	Ein
I C	Kollektorstrom @ T F =65 O C	600	Ein
I CM	Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms	1440	Ein
P D	Maximale Leistungsauslagerung ation @ t F = 75 O C t Vj =175 O C	1204	W

Diode

Symbol	Beschreibung	Werte	Einheit
V RRM	Wiederholungspegel umgekehrter Spannung GE	1200	V
I FN	Implementierter Sammler Cu rrent	720	Ein
I F	Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent	600	Ein
I FM	Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms	1440	Ein

Modul

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
t vjmax	Maximale Junction-Temperatur	175	O C
t vjop	Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich Für 10er innerhalb eines Zeitraums 30er Jahre, Vorfall maximal 3000 Mal über die Lebensdauer ich	-40 bis +150 +150 bis +175	O C
t stg	Lagerungstemperaturbereich	-40 bis +125	O C
V ISO	Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min	3000	V

IGBT Eigenschaften t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C = 600 A, V GE =15V, t Vj =25 O C		1.50		V
		I C = 600 A, V GE =15V, t Vj =150 O C		1.80
		I C = 600 A, V GE =15V, t Vj =175 O C		1.85
		I C =720A,V GE =15V, t Vj =25 O C		1.60
		I C =720A,V GE =15V, t Vj =175 O C		2.05
V GE (th )	Gate-Emitter-Schwelle Spannung	I C = 15,6 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C		6.0		V
I CES	Sammler Schnitt -aus Aktuell	V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C			1.0	mA
I GES	Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell	V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C			400	NA
R Gint	Interner Gate-Widerstand			1.67		Ω
C ies	Eingangskapazität	V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V		48.7		NF
C - Die	Ausgangskapazität			1.55		NF
C res	Rückübertragungs- Kapazität			0.26		NF
Q g	Gate-Ladung	V CE =800V,I C =600A, V GE =-8...+15V		3.52		μC
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =800V,I C = 600A, R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, L s =24nH, V GE =-8V/+15V, t Vj =25 O C		208		NS
t R	Aufstiegszeit			65		NS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			505		NS
t F	Herbstzeit			104		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			77.7		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			62.2		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =800V,I C = 600A, R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, L s =24nH, V GE =-8V/+15V, t Vj =150 O C		225		NS
t R	Aufstiegszeit			75		NS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			567		NS
t F	Herbstzeit			191		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			110		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			83.4		mJ
t D (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =800V,I C = 600A, R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, L s =24nH, V GE =-8V/+15V, t Vj =175 O C		226		NS
t R	Aufstiegszeit			77		NS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			583		NS
t F	Herbstzeit			203		NS
e auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			118		mJ
e aus	Ausschaltsteuerung Verlust			85.9		mJ
I SC	SC-Daten	t P ≤4μs, V GE =15V, t Vj =175 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V		2600		Ein

Diode Eigenschaften t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V F	Diodenvorwärts Spannung	I F = 600 A, V GE =0V,T Vj =2 5O C		1.95		V
		I F = 600 A, V GE =0V,T Vj =150 O C		1.95
		I F = 600 A, V GE =0V,T Vj =175 O C		1.90
		I F =720A,V GE =0V,T Vj =2 5O C		2.05
		I F =720A,V GE =0V,T Vj =175 O C		2.05
Q R	Wiederhergestellte Ladung	V R =800V,I F = 600A, -di/dt=8281A/μs, L s =24n H, V GE =-8V, t Vj =25 O C		44.3		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			346		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			16.2		mJ
Q R	Wiederhergestellte Ladung	V R =800V,I F = 600A, -di/dt=6954A/μs, L s =24n H, V GE =-8V, t Vj =150 O C		73.4		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			385		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			27.8		mJ
Q R	Wiederhergestellte Ladung	V R =800V,I F = 600A, -di/dt=6679A/μs, L s =24n H, V GE =-8V, t Vj =175 O C		80.7		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			392		Ein
e Erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			30.7		mJ

NTC Eigenschaften t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
R 25	Nennwiderstand			5.0		kΩ
∆R/R	Abweichung von R 100	t C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Leistung Abgabe				20.0	mW
B 25/50	B-Wert	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-Wert	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-Wert	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modul Eigenschaften t F =25 O C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
L CE	Streuinduktivität		8		nH
R CC’+EE’	Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip		0.75		mΩ
P	Maximaler Kühldruck Schönheit t Ausfallplatte < 40 O C t Ausfallplatte > 40 O C (relativer Druck)			2.5 2.0	Stange
R Die	Junction -Um -Kühlung Flüssigkeit (proIGBT )Verbindungsflüssigkeit zur Kühlung (pro Di) ode) △ V/ △ t=10,0 dm 3/Min ,t F = 75 O C		0.072 0.104	0.083 0.120	K/W
m	Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.M
g	Gewicht von Modul		750		g