GD600SGU120C2SD, IGBT Modul, STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 O C @ T C =70 O C

857

600

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

1200

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T Vj =150 O C

4310

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter

1200

V

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

600

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

1200

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t vjmax

Maximale Junction-Temperatur

150

O C

t vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +125

O C

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

O C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C = 600 A, V GE =15V, t Vj =25 O C

3.00

3.45

V

I C = 600 A, V GE =15V, t Vj =125 O C

3.80

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =12 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C

4.8

5.8

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C

400

NA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

0.31

Ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

43.6

NF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

2.72

NF

Q g

Gate-Ladung

V GE =-15V…+15V

8.32

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 600A, R g =1,5Ω, V GE =±15V, L.S. =50 nH ,t Vj =25 O C

317

NS

t R

Aufstiegszeit

76

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

548

NS

t F

Herbstzeit

55

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

20.2

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

34.2

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 600A, R g =1,5Ω, V GE =±15V, L.S. =50 nH ,t Vj =125 O C

325

NS

t R

Aufstiegszeit

79

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

595

NS

t F

Herbstzeit

59

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

27.2

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

38.4

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

t Vj =125 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

3000

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F = 600 A, V GE =0V,T Vj =2 5O C

1.85

2.30

V

I F = 600 A, V GE =0V,T Vj =125 O C

1.90

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 600A,

-di/dt=7745A/μs,V GE = 15 V, L.S. =50 nH ,t Vj =25 O C

58.0

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

489

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

28.1

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 600A,

-di/dt=7355A/μs,V GE = 15 V, L.S. =50 nH ,t Vj =25 O C

100

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

563

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

48.2

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction -Um -Fall (proIGBT ) Junction-to-Case (pro Di ode)

0.029 0.069

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.014 0.034 0.010

K/W

m

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

g

Gewicht von Modul

300

g