1200 V

Symbol

Beschreibung

GD600SGL120C2S

Einheiten

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

±20

v

Ichc

Kollektorstrom    @ Tc=25°C

@ Tc= 100°C

950

a)

600

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom    tp=1ms

1200

a)

Ichf

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

600

a)

Ichfm

Diode Maximale Vorwärtsleitungrent

1200

a)

pd

Maximalleistung Ablösung @ Tj= 175°C

3750

w

tSc

Kurzschluss mitUnd Zeit

10

μs

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

°C

t- Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

°C

tstg

Lagertemperaturbereich

-40 bis +125

°C

Ich2t-Wert, Diode

vR=0V,t=10ms,Tj=125°C

74000

a)2s

vIso

Isolationsspannung    RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Montage-Torque

Signalanschluss Schraube:M4

1.1 bis 2.0

Schraube für die Antriebsspitze:M6

2,5 bis 5.0

n.m.

Montage Schraube:M6

3,0 bis 5.0

Gewicht

Gewicht von Modul

300

G

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

v(Br)CES

Kollektor-Emitter

Abbruchspannung

tj=25°C

1200

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V, tj=25°C

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom

Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V, tj=25°C

400

- Nein.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

Ichc=24- Ich weiß.- Ich weiß.vc=vGE- Ich weiß. tj=25°C

5.0

6.2

7.0

v

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc= 600 A, VGE=15V, tj=25°C

1.9

v

Ichc= 600 A, VGE=15V, tj= 125°C

2.1

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 600A, RG=3Ω,

vGE=±15 v,Tj=25°C

200

NS

tR

Aufstiegszeit

62

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

510

NS

tf

Herbstzeit

vCc=600V,Ic= 600A, RG=3Ω,

vGE=±15 v,Tj=25°C

60

NS

eauf

Einschaltsteuerung

Verlust

39

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

48

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=600V,Ic= 600A,

RG=3Ω,VGE=±15 v,- Ich weiß.tj= 125°C

210

NS

tR

Aufstiegszeit

65

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

600

NS

tf

Herbstzeit

75

NS

eauf

Einschaltsteuerung

Verlust

45

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

60

m

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V, f=1MHz,

vGE=0V

41.0

NF

c- Die

Ausgangskapazität

3.1

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

2.0

NF

IchSc

SC-Daten

tsc≤10μs,VGE=15V,  tj=125°C- Ich weiß.

vCc=900V, vCEM≤1200 V

2600

a)

Ich...c

Streuinduktivität

20

- Nein.

RCc’+EE ’

Modulanschlusswiderstande, Anschluss zu Chip

tc=25°C

0.18

mOh

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=600A

tj=25°C

1.8

2.4

v

tj= 125°C

1.9

2.5

QR

Diode Rückwärts

Einziehungsgebühr

Ichf= 600A,

vR=600V,

di/dt=-6000A/μs, vGE=- 15 V

tj=25°C

65

μC

tj= 125°C

100

IchRm

Diode Spitze

Umgekehrte Wiederherstellung Strom

tj=25°C

450

a)

tj= 125°C

510

eErklärungen

Umgekehrte Wiederherstellung Energie

tj=25°C

35

m

tj= 125°C

42

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

RθJC

Junction-to-Case (IGBT-Teil, per Modul)

0.04

°C/W

RθJC

Junction-to-Case (Diode-Teil, pro Modulle)

0.09

°C/W

Rθcss

Gehäuse-zu-Senke (Leitfähige Paste applied)

0.035

°C/W